[发明专利]半导体器件

摘要

一种半导体器件，包括在半导体主体内部的多个晶体管单元，其每个包括第一导电类型的漂移区区段和第二导电类型的主体区。第二导电类型的第一半导体阱区布置在晶体管单元外部且在至少两个晶体管单元之间。第一半导体阱区从半导体主体表面沿着竖向方向延伸为至少与两个晶体管单元主体区的每个一样深。半导体主体包括第二导电类型且布置在晶体管单元外部的第二半导体阱区，该阱区与第一负载接触电连接。第一导电类型的分离区从表面竖向方向延伸，被布置在第一半导体阱区和第二半导体阱区之间且与这两者接触，在分离区和第一半导体阱区之间的在第一横向方向上的过渡部从表面延伸至半导体主体中定位成至少与两个晶体管单元的主体区中的每个一样深的点。

主权项

一种半导体器件（1），包括：‑ 半导体主体（10），其具有表面（10‑1）并且包括具有第一导电类型的掺杂剂的漂移区（100）；‑ 第一负载接触（E），其被配置用于将负载电流馈送到半导体主体（10）中并且被布置为与表面（10‑1）接触；以及‑ 多个晶体管单元（11），被至少部分地形成在半导体主体（10）内部，每个晶体管单元（11）包括漂移区（100）的区段和具有与第一导电类型互补的第二导电类型的掺杂剂的主体区（102），主体区（102）和漂移区（100）之间的过渡部形成pn结（107）；其中所述半导体主体（10）进一步包括：‑ 至少一个第一半导体阱区（103），其具有第二导电类型的掺杂剂并且被布置在晶体管单元（11）的外部并且至少部分地在至少两个晶体管单元（11）之间，并且从表面（10‑1）沿着竖向方向（Z）延伸为至少与所述至少两个晶体管单元（11）的主体区（102）中的每个一样深；‑ 至少一个第二半导体阱区（105、105‑1、105‑2），其具有第二导电类型的掺杂剂并且被布置在晶体管单元（11）的外部，其中所述至少一个第二半导体阱区（105、105‑1、105‑2）与第一负载接触（E）电连接；以及‑ 至少一个分离区（104、104‑1、104‑2），其从表面（10‑1）沿着竖向方向（Z）延伸并且具有第一导电类型的掺杂剂并且被布置在所述至少一个第一半导体阱区（103）和所述至少一个第二半导体阱区（105、105‑1、105‑2）之间并与所述至少一个第一半导体阱区（103）和所述至少一个第二半导体阱区（105、105‑1、105‑2）的每个接触，其中在所述至少一个分离区（104、104‑1、104‑2）和所述至少一个第一半导体阱区（103）之间的在第一横向方向（X）上的过渡部（106、106‑1、106‑2）从表面（10‑1）连续地延伸至半导体主体（10）中被定位成至少与所述至少两个晶体管单元（11）的主体区（102）中的每个一样深的点（P、P1、P2）。