[发明专利]星载射线能纳米电池在审
申请号: | 201610958055.2 | 申请日: | 2016-11-03 |
公开(公告)号: | CN106409955A | 公开(公告)日: | 2017-02-15 |
发明(设计)人: | 孔祥龙;秦雷;陈晶;李文峰;赵艳彬;张伟 | 申请(专利权)人: | 上海卫星工程研究所 |
主分类号: | H01L31/055 | 分类号: | H01L31/055;H01L31/041;B82Y20/00 |
代理公司: | 上海汉声知识产权代理有限公司31236 | 代理人: | 郭国中 |
地址: | 200240 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供了一种星载射线能纳米电池,包括硅纳米线、碘化铯层、体硅发射极、耗尽区、体硅基极和背板;硅纳米线吸收紫外波段、可见波段和红外波段的光产生自由电子,通过硅纳米线汇聚光子能量,增大功率密度;碘化铯层吸收高能X射线和γ射线,将高能射线光子转化为可见光波段的光子;体硅发射极与基极汇聚过剩载流子,对直射光子与二次反射光子进行吸收;耗尽区维持内建电压,保证光生载流子分离;背板反射光子,增加体硅吸收光子概率。本发明利用碘化铯闪烁晶体材料作为太阳能电池表面涂层结构,将当前太阳能电池的响应频带拓宽至射线区(X射线和γ射线),起到一定的辐射损伤防护作用,可满足航天器在高辐射、低光照的空间环境下的供电需求。 | ||
搜索关键词: | 射线 纳米 电池 | ||
【主权项】:
一种星载射线能纳米电池,其特征在于,包括:依次叠加的硅纳米线、碘化铯层、耗尽区、体硅发射极与基极、背板;所述硅纳米线,用于吸收紫外波段、可见光波段以及红外波段的光产生自由电子;所述碘化铯层,用于吸收高能射线,并将高能射线光子转化为多个可见光波段的光子;所述体硅发射极与基极,用于汇聚过剩载流子,对直射光子与二次反射光子进行吸收;所述耗尽区,用于维持内建电压;所述背板,用于反射未被所述体硅发射极与基极首次吸收的光子。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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