[发明专利]带内置光栅半导体激光器有效

专利信息
申请号: 201610945233.8 申请日: 2016-11-02
公开(公告)号: CN106329312B 公开(公告)日: 2019-04-16
发明(设计)人: 廖柯 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第四十四研究所
主分类号: H01S5/12 分类号: H01S5/12;H01S5/343;H01S5/22
代理公司: 重庆乐泰知识产权代理事务所(普通合伙) 50221 代理人: 崔雷
地址: 400060 *** 国省代码: 重庆;50
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摘要: 发明提供一种内置光栅半导体激光器,包括由下至上依次设置的衬底、下包层、下波导层、有源层、上波导层、上包层和顶层,其中上波导层包括第一上波导层和第二上波导层,第一上波导层为有源层的上一层,第二上波导层为上包层的下一层,且第一上波导层与第二上波导层之间设置有光栅层。本发明通过在第一上波导层与第二上波导层之间设置光栅层,可以大大提高半导体激光器的光谱质量和温度稳定性,并且可以降低激光器的功耗和体积。
搜索关键词: 内置 光栅 半导体激光器
【主权项】:
1.一种内置光栅半导体激光器,其特征在于,包括由下至上依次设置的衬底、下包层、下波导层、有源层、上波导层、上包层和顶层,其中所述上波导层包括第一上波导层和第二上波导层,所述第一上波导层为所述有源层的上一层,所述第二上波导层为所述上包层的下一层,且所述第一上波导层与所述第二上波导层之间设置有光栅层;所述上包层包括由下至上依次设置的第一上包层、第二上包层和第三上包层,其中所述第一上包层为所述第二波导层的上一层,所述第三上包层为所述顶层的下一层,所述第一上包层与所述第二上包层之间设置有第一过渡层,且所述第二上包层与所述第三上包层之间设置有第二过渡层。
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