[发明专利]测试结构及测试单元有效
申请号: | 201610940330.8 | 申请日: | 2016-10-25 |
公开(公告)号: | CN107978537B | 公开(公告)日: | 2020-06-09 |
发明(设计)人: | 王志娟;宋永梁 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人: | 高伟;张建 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种测试结构及测试单元,该测试结构包括:上层金属层,所述上层金属层包括沿垂直方向依次布置的上层金属层、中层金属层和下层金属层,上层金属层和中层金属层均包括一组梳状金属线,每个梳状金属线包括多个并行排列的梳齿金属线,上层金属层和中层金属层通过通孔电性连接,下层金属层包括多个并行排列的第五金属线,且所述多个第五金属线彼此电性连接。该测试结构既可以测试同层之间的电压击穿性能,也可以测试垂直方向上上下层之间的电压击穿性能,并且可以探测到由于通孔与通孔之间以及通孔与金属层之间的突出/偏移问题。该测试单元具有类似的优点。 | ||
搜索关键词: | 测试 结构 单元 | ||
【主权项】:
一种测试结构,用于测试电压击穿性能,其特征在于,包括:上层金属层,所述上层金属层包括第一梳状金属线和第二梳状金属线,所述第一梳状金属线包括多个并行排列的第一梳齿金属线,所述第二梳状金属线包括多个并行排列的第二梳齿金属线,且所述第一梳齿金属线和第二梳齿金属线交错相嵌布置;中层金属层,所述中层金属层包括第三梳状金属线和第四梳状金属线,所述第三梳状金属线包括多个并行排列的第三梳齿金属线,所述第四梳状金属线包括多个并行排列的第四梳齿金属线,并且所述第三梳齿金属线和第四梳齿金属线交错相嵌布置;下层金属层,所述下层金属层包括多个并行排列的第五金属线,且所述多个第五金属线彼此电性连接,其中,所述上层金属层、中层金属层和下层金属层沿垂直方向依次布置,所述第一梳状金属线和第三梳状金属线通过通孔电性连接,所述第二梳状金属线和第四梳状金属线通过通孔电性连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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