[发明专利]一种在材料表面均匀掺杂金属离子的方法及其制品和应用有效

专利信息
申请号: 201610938294.1 申请日: 2016-10-25
公开(公告)号: CN107978755B 公开(公告)日: 2020-04-24
发明(设计)人: 曹安民;刘晓婵;万立骏 申请(专利权)人: 中国科学院化学研究所
主分类号: H01M4/38 分类号: H01M4/38;H01M4/1391;H01M10/0525
代理公司: 北京知元同创知识产权代理事务所(普通合伙) 11535 代理人: 刘元霞;牛艳玲
地址: 100190 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及一种在材料表面均匀掺杂金属离子的方法及其制品和应用。所述方法主要是通过金属离子在材料表面(如正极材料等)进行纳米层厚度的均匀沉积,并经过特殊的热处理,实现金属离子在基底材料表面特定厚度范围内的向内渗透和掺杂,并在基底材料表面获得纳米层厚度的定量掺杂的表面层。所述方法制备得到的正极材料能够有效实现表面的钝化,降低副反应的程度,实现材料稳定性的提升;同时,金属离子只在表面1~30nm范围内掺杂,材料自身的本体结构并未受到影响,仍能够保持原先的离子传输特性,能有效地克服了传统包覆过程对材料电化学性能的不利影响,使其在锂离子电池领域有着很高的实用性应用前景。
搜索关键词: 一种 材料 表面 均匀 掺杂 金属 离子 方法 及其 制品 应用
【主权项】:
一种在材料表面均匀掺杂金属离子的制备方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:1)首先采用沉淀‑热渗透反应,将材料、金属离子的前驱体和沉淀剂分散到溶剂中,加热搅拌,在材料表面构筑金属纳米沉积层,获得中间产物;2)然后将步骤1)中制备得到的中间产物经热处理,金属离子在所述材料表面一定厚度范围内的向内渗透和掺杂,在材料表面获得纳米层厚度的金属掺杂层。
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