[发明专利]一种绝缘栅双极晶体管在审
| 申请号： | 201610933819.2 | 申请日： | 2016-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN108022971A | 公开（公告）日： | 2018-05-11 |
| 发明（设计）人： | 朱江 | 申请（专利权）人： | 朱江 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 113200 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明提供一种绝缘栅双极晶体管，在P+发射区与N型基区之间设置导电材料区或金属，以此控制降低器件导通时N型基区少子的数量，实现在厚衬底片上抑制绝缘栅双极晶体管背部P型发射区的少子注入，提高器件高频特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 绝缘 双极晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种绝缘栅双极晶体管，其特征在于：包括：N型基区，由N型半导体材料构成；P型基区、N型集电区、栅氧化层和栅极介质，位于N型基区上方；导电材料区，位于N型基区下部，为高浓度杂质掺杂的多晶硅或无定形硅；衬底P+发射区，位于导电材料区下部，为P型半导体材料构成，为高浓度杂质掺杂。
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