[发明专利]基于三相‑单相矩阵变换器的海洋可控源电磁发射器在审
申请号: | 201610928790.9 | 申请日: | 2016-10-31 |
公开(公告)号: | CN106571734A | 公开(公告)日: | 2017-04-19 |
发明(设计)人: | 刘宏明 | 申请(专利权)人: | 通化师范学院 |
主分类号: | H02M1/00 | 分类号: | H02M1/00;H02M5/293;H01L23/29;G01V3/12 |
代理公司: | 北京华仲龙腾专利代理事务所(普通合伙)11548 | 代理人: | 李静 |
地址: | 134000 吉*** | 国省代码: | 吉林;22 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种基于三相‑单相矩阵变换器的海洋可控源电磁发射器,包括三相发电机、矩阵变换器、发射桥,该三相发电机、矩阵变换器、发射桥依次连接组成发射器,该发射桥表面设有防腐涂层,防腐涂层包括粘底层ZnNi和复合层Cr2O3、SiC、Zn(H2PO4)2·2H2O、Cu2O,矩阵变换器连接有避雷器。本发明使用矩阵变换器实现低功率的器件实现较高的电流输出,器件散热效果更好,发射桥设有防腐涂层可有效防止发射桥被海水腐蚀,保证发射桥正常工作,设有的防雷器可防止设备被雷劈导致损坏无法工作,提升设备安全性。 | ||
搜索关键词: | 基于 三相 单相 矩阵 变换器 海洋 可控 电磁 发射器 | ||
【主权项】:
基于三相‑单相矩阵变换器的海洋可控电磁发射器,包括三相发电机(1)、矩阵变换器(3)、发射桥(6),其特征在于所述三相发电机(1)、矩阵变换器(3)、发射桥(6)依次连接组成发射器,所述发射桥(6)表面设有防腐涂层;所述防腐涂层包括粘底层ZnNi和复合层Cr2O3、SiC、Zn(H2PO4)2·2H2O、编Cu2O,所述粘底层喷涂至发射桥表面,复合层喷涂至粘底层表面,所述复合层由耐磨耐腐粉末和防污粉末组成;所述耐磨耐腐粉末由20~35重量份Cr2O3粉末、30~40重量份SiC粉末、10~18重量份Zn(H2PO4)2·2H2O粉末组成,所述防污粉末为1~4重量份的Cu2O粉末。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于通化师范学院,未经通化师范学院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610928790.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H02 发电、变电或配电
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路,例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备,例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路,例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备,例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置