[发明专利]一种单质钨粉的制备方法在审
申请号: | 201610920825.4 | 申请日: | 2016-10-20 |
公开(公告)号: | CN106392092A | 公开(公告)日: | 2017-02-15 |
发明(设计)人: | 张娜;黄成杰;房永征;丁艳花;张小磊;刘静慧 | 申请(专利权)人: | 上海应用技术大学 |
主分类号: | B22F9/20 | 分类号: | B22F9/20 |
代理公司: | 上海申汇专利代理有限公司31001 | 代理人: | 吴宝根 |
地址: | 200235 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种立方相单质钨的制备方法,按质量比称取氧化钨粉和Al粉,氧化钨粉和Al粉的质量比为1(7.5‑12),将氧化钨粉和Al粉分别平铺在双温区管式炉的石英管内;抽真空到‑0.1~‑0.05MPa;控制WO3粉温区的升温速度为3℃/min~5℃/min,升至750℃~1000℃;Al粉区的温度控制在700‑800℃;保持温度,反应2~7h后,继续抽真空保持真空度‑0.1~‑0.05MPa,直至双温区管式炉温度均降至室温,得到立方相单质钨粉。本发明通过简单的Al还原方法,将实现立方相单质钨的制备,方法操作简单,可适用于工业化生产。 | ||
搜索关键词: | 一种 单质 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种立方相单质钨的制备方法,其特征在于包括以下步骤:1)按质量比称取氧化钨粉和Al粉,氧化钨粉和Al粉的质量比为1:(7.5‑12), 将氧化钨粉和Al粉分别平铺在双温区管式炉的石英管内;2)抽真空到‑0.1~‑0.05MPa;3)控制WO3粉温区的升温速度为3℃/min~5℃/min,升至750℃~1000℃;Al粉区的温度控制在700‑800℃;4)保持(3)中的温度,反应2~7h后,继续抽真空保持真空度‑0.1~‑0.05MPa,直至双温区管式炉温度均降至室温,得到立方相单质钨粉。
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