[发明专利]晶片加工体、晶片加工用暂时粘着材料及薄型晶片的制造方法有效
| 申请号： | 201610912284.0 | 申请日： | 2016-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN106952854B | 公开（公告）日： | 2021-12-14 |
| 发明（设计）人： | 田上昭平;菅生道博;安田浩之;田边正人 | 申请（专利权）人： | 信越化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;C09J183/04 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 李英艳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 对超过300℃的高温热工序具有耐受性且能提高薄型晶片的生产性的晶片加工体，其在支撑体上形成暂时粘着材料层，在该暂时粘着材料层上积层有晶片，该晶片的表面具有电路面且背面需要加工，所述暂时粘着材料层具备包括以下三层结构的复合暂时粘着材料层：第一暂时粘着层，由膜厚不足100nm的热塑性有机聚硅氧烷聚合物层(A)构成，以能剥离的方式积层于所述晶片的表面；第二暂时粘着层，由热固化性硅氧烷改性聚合物层(B)构成，以能剥离的方式积层于该第一暂时粘着层；第三暂时粘着层，由膜厚不足100nm的热塑性有机聚硅氧烷聚合物层(A’)构成，以能剥离的方式积层于该第二暂时粘着层，并以能剥离的方式积层于所述支撑体。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 加工 工用 暂时 粘着 材料 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种晶片加工体，其特征在于，所述晶片加工体是在支撑体上形成有暂时粘着材料层，并且在该暂时粘着材料层上积层有晶片，所述晶片的表面具有电路面且背面需要加工，所述暂时粘着材料层具备复合暂时粘着材料层，所述复合暂时粘着材料层具有以下三层结构：第一暂时粘着层，由膜厚不足100nm的热塑性有机聚硅氧烷聚合物层(A)构成，并且以能够剥离的方式积层于所述晶片的表面上；第二暂时粘着层，由热固化性硅氧烷改性聚合物层(B)构成，并且以能够剥离的方式积层于该第一暂时粘着层上；以及，第三暂时粘着层，由膜厚不足100nm的热塑性有机聚硅氧烷聚合物层(A’)构成，以能够剥离的方式积层于该第二暂时粘着层上，并且以能够剥离的方式积层于所述支撑体上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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