[发明专利]AMOLED像素驱动电路及驱动方法在审

专利信息
申请号: 201610908828.6 申请日: 2016-10-18
公开(公告)号: CN106504702A 公开(公告)日: 2017-03-15
发明(设计)人: 陈小龙;周明忠;温亦谦 申请(专利权)人: 深圳市华星光电技术有限公司
主分类号: G09G3/3225 分类号: G09G3/3225;G09G3/3258
代理公司: 深圳市德力知识产权代理事务所44265 代理人: 林才桂
地址: 518132 广东*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供一种AMOLED像素驱动电路及驱动方法。本发明的AMOLED像素驱动电路为6T1C结构,包括作为驱动薄膜晶体管的第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)、第四薄膜晶体管(T4)、第五薄膜晶体管(T5)、第六薄膜晶体管(T6)、电容(C1)、及有机发光二极管(D1),接入扫描信号(Scan)、第一发光信号(EM1)、第二发光信号(EM2)、数据信号电压(Vdata)、及初始化电压(Vini),该电路能够有效补偿驱动薄膜晶体管的阈值电压,解决由阈值电压漂移导致的流过有机发光二极管的电流不稳定的问题,保证有机发光二极管的发光亮度均匀,改善画面的显示效果。
搜索关键词: amoled 像素 驱动 电路 方法
【主权项】:
一种AMOLED像素驱动电路,其特征在于,包括:第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)、第四薄膜晶体管(T4)、第五薄膜晶体管(T5)、第六薄膜晶体管(T6)、电容(C1)、及有机发光二极管(D1);所述第一薄膜晶体管(T1)的栅极电性连接第一节点(G),源极电性连接第二节点(S),漏极电性连接第三节点(D);所述第二薄膜晶体管(T2)的栅极接入扫描信号(Scan),源极电性连接第一节点(G),漏极电性连接第三节点(D);所述第三薄膜晶体管(T3)的栅极接入扫描信号(Scan),源极接入初始化电压(Vini),漏极电性连接第四节点(N);所述第四薄膜晶体管(T4)的栅极接入扫描信号(Scan),源极接入数据信号电压(Vdata),漏极电性连接第二节点(S);所述第五薄膜晶体管(T5)的栅极接入第一发光信号(EM1),源极接入电源正电压(OVDD),漏极电性连接第二节点(S);所述第六薄膜晶体管(T6)的栅极接入第二发光信号(EM2),源极电性连接第三节点(D),漏极电性连接第四节点(N);所述电容(C1)的一端电性连接第一节点(G),另一端接地;所述有机发光二极管(D1)的阳极电性连接第四节点(N),阴极接入电源负电压(OVSS)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市华星光电技术有限公司,未经深圳市华星光电技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610908828.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top