[发明专利]一种铜箔表面包覆生长上下两片石墨烯薄膜的同步转移方法

摘要

本发明提供一种铜箔表面包覆生长上下两片石墨烯薄膜的同步转移方法在包覆生长在铜箔上下表面的石墨烯膜上旋涂有机溶剂；烘干、裁剪包覆石墨烯的铜箔；腐蚀溶解铜箔基体，分离石墨烯膜；用两块叠加在一起的基底插入两片石墨烯膜之间的间隙中，分离，并将石墨烯薄膜同步转移到基底上；漂洗、烘干。再放入热丙酮溶液中,去除PMMA,同步得到两块转移到基底上的石墨烯。该方法将一片铜箔上生长的上下两片石墨烯膜同时完整地转移到目标基体上,实现了化学气相沉积制备石墨烯的高效利用，环保节能，工艺流程简单、高效、稳定、成本远低于常规的石墨烯转移方法，对实现石墨烯在触摸屏等光电子器件领域的广泛应用具有重要的价值。

主权项

一种铜箔表面包覆生长上下两片石墨烯薄膜的同步转移方法, 其特征在于，步骤为：第一步，在包覆生长在铜箔上下表面的石墨烯膜上旋涂有机溶剂涂层；第二步，烘干有机溶剂涂层、裁剪包覆石墨烯的铜箔；第三步，腐蚀溶剂溶解铜箔基体，对腐蚀溶剂施加轻微扰动，使两片石墨烯之间的间隙增大，进而分离铜箔上下两面生长的两片石墨烯膜；第四步，用两块叠加在一起的载玻片或硅片缓慢插入两片石墨烯膜之间的间隙中，分离上下两片石墨烯，并将上下两层石墨烯薄膜同步转移到载玻片或硅片基底上；第五步，对转移好的石墨烯膜进行漂洗、烘干；第六步，将烘干的转移有石墨烯的玻璃片或硅片放入热丙酮溶液中,去除有机溶剂涂层, 同步得到两块转移到玻璃片或硅片基底上的石墨烯。