[发明专利]石墨烯/二氧化锰/聚苯胺纳米棒阵列的制备方法与应用在审
| 申请号： | 201610901158.5 | 申请日： | 2016-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN106298286A | 公开（公告）日： | 2017-01-04 |
| 发明（设计）人： | 向红先 | 申请（专利权）人： | 成都育芽科技有限公司 |
| 主分类号： | H01G11/86 | 分类号： | H01G11/86;H01G11/24;H01G11/30;H01G11/36;H01G11/46;H01G11/48;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610041 四川省成都市高*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种石墨烯/二氧化锰/聚苯胺纳米棒阵列的制备方法与应用，包括如下步骤：（1）采用Hummers法制备了氧化石墨(GO)，然后利用水合肼对其进行还原得到石墨烯(rGO)，将rGO分散液滴涂于玻碳片上得到rGO薄膜；（2）采用循环伏安(CV)沉积法在rGO表面电沉积MnO2生长为纳米棒结构；（3）采用循环伏安(CV)沉积法在MnO2表面沉积PANI而得到rGO/MnO2/PAN纳米棒阵列；纳米棒阵列结构显著提高能量密度、循环稳定性以及倍率性能，作为高储能密度的超级电容器应用前景广阔。 | ||
| 搜索关键词： | 石墨 二氧化锰 苯胺 纳米 阵列 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
石墨烯/二氧化锰/聚苯胺纳米棒阵列的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：（1）采用Hummers法制备了氧化石墨(GO)，然后利用水合肼对其进行还原得到石墨烯(rGO)，将rGO分散液滴涂于玻碳片上得到rGO薄膜；（2）采用循环伏安(CV)沉积法在rGO表面电沉积MnO2生长为纳米棒结构；（3）采用循环伏安(CV)沉积法在MnO2表面沉积PANI而得到rGO/MnO2/PAN纳米棒阵列三元复合物。
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