[发明专利]一种离子注入机竖直方向注入角度的管控结构

摘要

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种离子注入机竖直方向注入角度的管控结构，通过于离子注入机的工艺反应腔的尾端可旋转地安装一包括若干栅状石墨结构的法拉第，且相邻所述栅状石墨结构之间均具有缝隙，且对应缝隙处的框体上设置有开口以使得部分离子可以通过该缝隙和开口穿过法拉第，以使得在对离子注入机竖直方向注入角度进行测量时，可根据法拉第旋转的角度和电流的大小获取离子注入机竖直方向的注入角度，进而可以有效管控离子注入机竖直方向的注入角度，提高产品的良率。

主权项

1.一种离子注入机竖直方向注入角度的管控结构，其特征在于，所述管控结构包括法拉第；所述法拉第可旋转地安装于所述离子注入机的工艺反应腔的尾端，且所述法拉第包括设置有容置空间的框体和设置在所述容置空间中的若干相互平行设置的栅状石墨结构；其中，相邻所述栅状石墨结构之间均具有缝隙，且对应所述缝隙处的所述框体上设置有开口以使得部分离子通过所述缝隙和所述开口穿过所述法拉第；所述管控结构还包括设置于所述法拉第一侧的离子挡板，以在所述离子通过所述缝隙时吸收所述离子；所述法拉第的初始安装位置为各所述栅状石墨结构处于水平状态的位置；在所述工艺反应腔中放入晶圆之前，所述法拉第对所述离子注入机竖直方向的注入角度进行测量；当所述法拉第对所述离子注入机竖直方向的注入角度进行测量时，先将所述法拉第顺时针旋转α角度，并在所述离子注入机向所述法拉第注入离子时，再将所述法拉第逆时针旋转2α角度；其中，所述离子注入机竖直方向的注入角度为在所述法拉第检测到的离子电流最小时栅状石墨结构竖直方向的角度，5°＜α＜15°；依照下述公式计算得到所述注入角度：A＝α‑θ,θ≤α；A＝2α‑θ，α＜θ≤2α；其中，A用于表示所述注入角度；θ用于表示所述法拉第检测到离子电流最小时的角度；当θ≤α时，所述注入角度为向下弯曲的角度；当α＜θ≤2α时，所述注入角度为向上弯曲的角度。