[发明专利]QLED器件有效
| 申请号： | 201610887773.5 | 申请日： | 2016-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN106450013B | 公开（公告）日： | 2019-11-26 |
| 发明（设计）人： | 向超宇;杨一行;曹蔚然;钱磊 | 申请（专利权）人： | TCL集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50 |
| 代理公司： | 44237 深圳中一专利商标事务所 | 代理人： | 黄志云<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 516006 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种QLED器件，包括依次设置的衬底、底电极、空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和顶电极，其中，所述空穴传输层为量子点、空穴传输材料和/或绝缘材料形成的P型空穴传输层，所述电子传输层为量子点、电子传输材料和/或绝缘材料形成的n型电子传输层，所述空穴传输层和所述电子传输层在界面形成异质结结构。 | ||
| 搜索关键词： | qled 器件 | ||
【主权项】：
1.一种QLED器件，其特征在于，包括衬底，在所述衬底的一表面上设置的底电极，在所述底电极背离所述衬底的表面上设置的空穴注入层，在所述空穴注入层在背离所述底电极的表面上设置的空穴传输层，在所述空穴传输层背离所述空穴注入层的表面上设置的电子传输层，在所述电子传输层背离所述空穴传输层的表面上设置的顶电极，其中，所述空穴传输层为空穴传输材料、绝缘材料中的至少一种与量子点形成的P型空穴传输层，所述电子传输层为电子传输材料、绝缘材料中的至少一种与量子点形成的n型电子传输层，所述空穴传输层和所述电子传输层在界面形成异质结结构。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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