[发明专利]一种MAX相陶瓷涂层及其制备方法和制备装置有效
| 申请号： | 201610882869.2 | 申请日： | 2016-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN106567049B | 公开（公告）日： | 2019-01-15 |
| 发明（设计）人： | 黄峰;舒瑞;黄庆;李朋;孟凡平;葛芳芳;朱萍 | 申请（专利权）人： | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/06 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人： | 刘诚午 |
| 地址： | 315201 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种MAX相陶瓷涂层，此涂层组成为V2AlxC2‑x，x＝0.7～1.5，涂层为柱状晶生长结构，每一个柱状晶由一层Al原子层和两层V原子层交替排列形成，且C原子层位于两层V原子层之间，涂层密度为4.5～5.2g/cm3。本发明还公开了所述MAX相陶瓷涂层的制备方法，采用双靶磁控溅射法并辅助射频叠加中频的电源施加方式，在制备温度为550～650℃的情况下，在非晶基体上非外延生长出所述MAX相陶瓷涂层。该制备条件下获得的V2AlxC2‑x涂层纯度达到了99.9％，涂层硬度在13～16GPa。此方法一步合成，成本较低，可控制性强，有利于MAX相涂层低温制备和多领域应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 max 陶瓷 涂层 及其 制备 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种MAX相陶瓷涂层，其特征在于，所述MAX相陶瓷涂层的成分组成为V2AlxC2‑x，x＝0.7～1.5，其中x为原子比率，涂层为结晶态，呈柱状晶生长结构，每一个柱状晶由一层Al原子层和两层V原子层交替排列形成，且C原子层位于两层V原子层之间，涂层密度为4.5～5.2g/cm3。
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