[发明专利]一种采用缺陷地结构的高功率耐受高温超导滤波器有效
| 申请号： | 201610880987.X | 申请日： | 2016-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN106299559B | 公开（公告）日： | 2019-06-21 |
| 发明（设计）人： | 郭旭波;曹必松;魏斌;陶琳;李博 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01P1/20 | 分类号： | H01P1/20 |
| 代理公司： | 北京理工大学专利中心 11120 | 代理人： | 李微微;仇蕾安 |
| 地址： | 10008*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种采用缺陷地结构的高功率耐受高温超导滤波器，缺陷地结构谐振器的电流密度高于完整地结构谐振器的电流密度，缺陷地结构的设计使谐振器表面电流密度分布发生重构，使整个电路的最大电流密度降低，从而提升了滤波器的功率耐受能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 采用 缺陷 结构 功率 耐受 高温 超导 滤波器 | ||
【主权项】：
1.一种采用缺陷地结构的超导滤波器，所述滤波器包括基片，以及在基片上依次加工的下层接地层和上层的具有多节宽矩形结构的谐振器，其特征在于，所述接地层采用缺陷地结构，缺陷地结构中保留上层首、末节谐振器正对的接地层部分和接地层上、下两个边的导体部分，首、末节之间的若干节宽矩形结构对应的接地层部分的形状为中部宽两端窄的结构，其宽度由两端向中部以阶跃形式增加，并将首末节左右两边的接地层上的超导膜刻蚀掉；上层首、末节谐振器正对的接地层的宽度满足如下条件：电磁仿真中，谐振器的各节宽矩形结构的最大电流密度与缺陷地结构的最大电流密度在误差允许范围内相等。
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