[发明专利]硅晶片的激光加工方法

摘要

本发明涉及一种硅晶片的激光加工方法，上述硅晶片的激光加工方法包括激光加工的位置由多条第一切割道中位于边缘的一条第一切割道的一端起始，沿第一切割道激光划片；之后重复激光加工的位置移到与刚划片过的第一切割道相邻的一条第一切割道继续划片的步骤，直至加工到硅晶片的垂直于第一切割道延伸方向的中间位置的步骤，以及其他步骤。在第一切割道划片时，先由边缘的第一切割道开始加工，加工到一半后，调整激光加工起始位置再由另一边缘的第一切割道开始加工，直至加工完成另一半。完成第一切割道划片后，再用相同的方法在第二切割道划片，从而完成整个硅晶片的激光切割。通过上述方法可以避免硅晶片自裂，提高产品的良品率和加工效率。

主权项

1.一种硅晶片的激光加工方法，所述硅晶片包括多个芯粒，所述硅晶片的表面预设多条平行的第一切割道和多条平行的第二切割道，所述第一切割道与所述第二切割道相互交错，以分隔所述多个芯粒；其特征在于，所述硅晶片的激光加工方法包括如下步骤：由多条所述第一切割道中位于边缘的一条所述第一切割道的一端开始划片；之后继续划片相邻的一条所述第一切割道，直至加工到所述硅晶片的垂直于所述第一切割道延伸方向的中间位置；由多条所述第一切割道中位于另一边缘的一条所述第一切割道的一端开始划片；之后继续划片相邻的一条所述第一切割道，直至多条所述第一切割道均完成划片；由多条所述第二切割道中位于边缘的一条所述第二切割道的一端开始划片；之后继续划片相邻的一条所述第二切割道，直至加工到所述硅晶片的垂直于所述第二切割道延伸方向的中间位置；以及由多条所述第二切割道中位于另一边缘的一条所述第二切割道的一端开始划片；之后继续划片相邻的一条所述第二切割道，直至多条所述第二切割道均完成划片。