[发明专利]微电路基板用经表面处理的铜箔及其制造方法在审
| 申请号： | 201610873302.9 | 申请日： | 2016-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN107018622A | 公开（公告）日： | 2017-08-04 |
| 发明（设计）人： | 范元辰;崔恩实;宋基德 | 申请（专利权）人： | 日进材料股份有限公司 |
| 主分类号： | H05K1/09 | 分类号： | H05K1/09;H05K3/38;C25D3/38;C25D3/56 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司11286 | 代理人： | 孙昌浩,李盛泉 |
| 地址： | 韩国全罗*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种微电路基板用经表面处理的铜箔及其制造方法。具体而言，根据本发明的微电路基板用经表面处理的铜箔的制造方法包括如下步骤第一步骤，在包含有Co、Ni、Mo、W、Cu、Fe中的一种以上的金属离子的镀液中将铜箔布置成阴极，并电解处理而形成金属合金层；作为粗糙化处理层形成步骤的第二步骤，对形成的所述金属合金层进行粗糙化处理而形成突起物；第三步骤，在所述粗糙化处理层上形成Zn被覆膜层；第四步骤，在所述被覆膜层上形成铬酸盐层；第五步骤，在所述电解铬酸盐层上形成硅烷偶联剂处理层。本发明具有如下技术效果通过形成金属合金层而对铜箔进行表面处理，从而可以提高铜箔的剥离强度。 | ||
| 搜索关键词： | 路基 板用经 表面 处理 铜箔 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种微电路基板用经表面处理的铜箔，包括：铜箔；金属合金层，形成于所述铜箔上部；粗糙化处理层，包括形成于所述金属合金层上部的突起物；Zn被覆膜层，形成于所述粗糙化处理层上部；铬酸盐层，形成于所述Zn被覆膜层上部；硅烷偶联剂处理层，形成于所述铬酸盐层上部，其中，所述粗糙化处理层突起物的高度为1～4μm，所述突起物与突起物之间的宽度为0.5～7μm，所述突起物在观察剖面的15μm内的分布数量的范围为2～35个。
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