[发明专利]微电路基板用经表面处理的铜箔及其制造方法在审
申请号: | 201610873302.9 | 申请日: | 2016-09-30 |
公开(公告)号: | CN107018622A | 公开(公告)日: | 2017-08-04 |
发明(设计)人: | 范元辰;崔恩实;宋基德 | 申请(专利权)人: | 日进材料股份有限公司 |
主分类号: | H05K1/09 | 分类号: | H05K1/09;H05K3/38;C25D3/38;C25D3/56 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司11286 | 代理人: | 孙昌浩,李盛泉 |
地址: | 韩国全罗*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 路基 板用经 表面 处理 铜箔 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种微电路基板用经表面处理的铜箔及其制造方法,尤其涉及一种通过对铜箔的表面实施粗糙化处理而实现了优良的与基板之间的粘接强度、耐热粘接强度、耐药品性、蚀刻性等的微电路基板用经表面处理的铜箔及其制造方法。
背景技术
近来,随着电气/电子设备的小型化、轻量化的加速,形成于基板上的印刷电路趋于微细化、高集成化、小型化,于是使用于印刷电路板的铜箔也需要多样的物性。
对于使用在硬性印刷电路板的制造的铜箔而言,铜箔需要具有强有力的粘接强度、高耐热特性及耐药品性,为了层间绝缘而使用的绝缘材料也使用到作为廉价材料的兼备强的耐外界冲击性的环氧树脂(epoxy resin)中浸泡的有机纤维的FR-4半固化片(prepreg)。相反,柔性印刷电路板的制造中使用的铜箔则使用到可表现出高弯曲特性的具备低粗糙度、高延伸率、高弯曲特性的铜箔,绝缘材料也使用到弯曲特性优良的聚酰亚胺(polyimide)膜或清漆(varnish)。
作为这种铜箔所要求的最基本的特性,需要铜箔与绝缘基材基板之间的粘接强度优良。尤其,铜箔需要在刚刚与绝缘基材加热加压并层叠之后保持要求水平以上的粘接强度,不仅如此,还需要在随后的后处理工序中经历多样的处理之后也仍需维持要求特性以上的粘接强度。为此,针对酸或碱等的耐药品性、耐热性等需要优良。而且,在通过形成铜电路图案而作为印刷布线板的蚀刻过程中,要求蚀刻性优良,即要求残留物质并不残留于非图案部分。
为了改善铜箔的粘接强度,执行在铜箔表面析出微细铜颗粒的所谓粗糙化处理,这种用于增加铜箔面的表面积的工艺通常被使用到。然而,单纯的粗糙化处理即使可以改善粘接强度,却也无法阻挡在随后的工序中因各种化学药品或热量而使粘接强度劣化。为了克服这一问题,在执行所述粗糙化处理之后形成锌层被覆膜,并形成电解铬酸盐层及硅烷偶联剂处理层的防锈处理层,通过实施诸如此类的多样的后处理工序而实施旨在提高铜箔的粘接强度的处理。
然而,为了印刷电路板用铜箔的微细化,需要一种持有微细的粗糙度及优良的粘接强度的表面处理铜箔,但如果粗糙化处理层的粗糙度变得微细,则铜箔表面的粘接强度降低,不仅如此,还存在难以全面实现铜箔的耐药品性、蚀刻性、耐热粘接强度等诸方面的要求特性的技术局限性。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于提供一种微电路基板用经表面处理的铜箔及其制造方法,其通过形成金属合金层而对铜箔进行表面处理,从而可提高铜箔的剥离强度。
并且,本发明所要解决的技术问题在于提供一种微电路基板用经表面处理的铜箔及其制造方法,其通过实施两次粗糙化处理而对铜箔进行表面处理,从而可提高铜箔的剥离强度。
而且,本发明所要解决的技术问题在于提供一种微电路基板用经表面处理的铜箔及其制造方法,其提高了表面处理铜箔与基板之间的粘接强度及耐热粘接强度、耐药品性、蚀刻性,从而适于作为微电路基板中用到的铜箔。
根据本发明之一实施例,提供一种微电路基板用经表面处理的铜箔,包括:铜箔;金属合金层,形成于所述铜箔上部;粗糙化处理层,包括形成于所述金属合金层上部的突起物;Zn被覆膜层,形成于所述粗糙化处理层上部;铬酸盐层,形成于所述Zn被覆膜层上部;硅烷偶联剂处理层,形成于所述铬酸盐层上部,其中,所述粗糙化处理层突起物的高度为1~4μm,所述突起物与突起物之间的宽度为0.5~7μm,所述突起物在观察剖面的15μm内的分布数量范围为2~35个。
并且,所述金属合金层可包括Co、Ni、Mo、W、Cu、Fe中的一种以上的金属离子。
而且,所述金属合金层中包含的金属离子的组成优选如下:Ni离子或Co离子10~15g/L、Mo离子或W离子0.5~1g/L、Cu离子或Fe离子10~20g/L。
并且,所述粗糙化处理层的表面粗糙度优选为2.5μm以下。
而且,所述Zn被覆膜层优选为纯Zn或Zn合金。
并且,使用于形成所述Zn合金被覆膜层的金属离子优选为选自Ni、Mo、Cr、Co的至少一种金属离子。
而且,所述粗糙化处理层优选由Cu 4~25g/L、H2SO4 70~125g/L、W 0.005~0.04g/L构成。
并且,所述粗糙化处理层优选由Cu 4~25g/L、H2SO4 70~125g/L、W 0.005~0.04g/L、Mo 0.1~1g/L构成。
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