[发明专利]一种硅片线痕检测方法及检测装置在审
申请号: | 201610873143.2 | 申请日: | 2016-09-30 |
公开(公告)号: | CN106556610A | 公开(公告)日: | 2017-04-05 |
发明(设计)人: | 尹昊;郭立;陈勇平 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第四十八研究所 |
主分类号: | G01N21/956 | 分类号: | G01N21/956;G01B11/00;G01K13/00 |
代理公司: | 湖南兆弘专利事务所(普通合伙)43008 | 代理人: | 周长清,蒋维特 |
地址: | 410111 湖南*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | 本发明公开了一种硅片线痕检测方法和检测装置,该方法包括S1.将待检硅片以预设的速度通过激光位移传感器检测模块,获得所述待检硅片表面的线痕采样值;S2.对所述线痕采样值进行高斯平滑处理,得到线痕值;S3.计算所述线痕值的最大值作为线痕检测结果值。装置包括硅片传送装置,激光位移传感器检测模块、控制器、温度监测模块和上位机。本发明具有可对硅片进行非接触式线痕检测,检测精度高,速度快,效率及可靠性高,控制简单等优点。 | ||
搜索关键词: | 一种 硅片 检测 方法 装置 | ||
【主权项】:
一种硅片线痕检测方法,其特征在于:包括如下步骤:S1.将待检硅片以预设的速度通过激光位移传感器检测模块,获得所述待检硅片表面的线痕采样值;S2.对所述线痕采样值进行高斯平滑处理,得到线痕值;S3.计算所述线痕值的最大值作为线痕检测结果值。
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