[发明专利]一种纳米薄膜忆阻器及其制备方法在审
| 申请号： | 201610867902.4 | 申请日： | 2016-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN106206944A | 公开（公告）日： | 2016-12-07 |
| 发明（设计）人： | 李爱东;王来国;吴迪 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;C23C16/455;C23C16/34;C23C16/40;B82Y10/00 |
| 代理公司： | 江苏圣典律师事务所 32237 | 代理人： | 贺翔 |
| 地址： | 210023 江苏省南*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种纳米薄膜忆阻器，包括衬底，所述的衬底之上依次为下电极、记忆存储层、上电极；记忆存储层从下至上依次为氧化铝薄膜、氧化铪/氧化锌或者氧化铪/氧化铝耦合双层薄膜；本发明还公开了忆阻器的制备方法，利用等离子增强原子层沉积首先制备下电极氮化钛；采用采用原子层沉积技术，在下电极氮化钛层上依次沉积生长记忆存储层；采用直流溅射、物理气相沉积或者光刻的方法形成忆阻器的上电极；本发明的忆阻器结构在脉冲电压作用下，表现出优异的模拟神经突触的学习与记忆功能；同时具备多态存储功能和模拟神经突触的能力，制造工艺简单、可靠，而且可以实现高深宽比的台阶覆盖率，便于大规模工业生产制造。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 薄膜 忆阻器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种纳米薄膜忆阻器，包括衬底，其特征在于，所述的衬底之上依次为下电极、记忆存储层、上电极；所述的记忆存储层从下至上依次由氧化铝层、氧化锌/氧化铪或者氧化铪/氧化铝所构成的耦合双层薄膜。
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