[发明专利]红外探测器阵列级封装结构及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201610855933.8 申请日: 2016-09-28
公开(公告)号: CN106441595B 公开(公告)日: 2019-07-19
发明(设计)人: 庄玉召;钱良山;张云胜;姜利军 申请(专利权)人: 杭州大立微电子有限公司
主分类号: G01J5/20 分类号: G01J5/20;H01L35/02
代理公司: 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 代理人: 孙佳胤
地址: 310053 浙江省杭州*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 一种红外探测器阵列级封装结构及其制造方法,所述红外探测器阵列级封装结构包括:基底,所述基底包括衬底以及位于部分衬底表面的读出电路;薄膜层,所述薄膜层部分位于所述读出电路外侧的衬底表面,与所述衬底之间形成真空腔;吸气剂层,所述吸气剂层位于所述真空腔内部的基底表面;红外传感器单元,所述红外传感器单元位于所述真空腔内的读出电路上方与所述读出电路连接。上述红外探测器阵列级封装结构的结构紧凑,能有效地降低器件的成本。
搜索关键词: 红外探测器 阵列 封装 结构 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种红外探测器阵列级封装结构,其特征在于,包括:基底,所述基底包括衬底以及位于部分衬底表面的读出电路;薄膜层,所述薄膜层部分位于所述读出电路外侧的衬底表面,与所述衬底之间形成真空腔,所述薄膜层包括:第一支撑薄膜和位于所述第一支撑薄膜表面的第二支撑薄膜,所述第一支撑薄膜包括第一支撑结构,所述第二支撑薄膜包括第二支撑结构,所述第一支撑薄膜具有释放通道,所述第二支撑薄膜填充满所述释放通道且穿过所述释放通道;吸气剂层,至少位于红外传感器单元外围的衬底表面;红外传感器单元,所述红外传感器单元由像元阵列组成,所述红外传感器单元位于所述真空腔内的读出电路上方,与所述读出电路连接,所述第一支撑结构和所述第二支撑结构支撑于所述红外传感器单元表面。
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