[发明专利]一种掺氮的Sb纳米相变薄膜材料及其制备方法与用途在审
| 申请号： | 201610851635.1 | 申请日： | 2016-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN106374042A | 公开（公告）日： | 2017-02-01 |
| 发明（设计）人： | 胡益丰;朱小芹;邹华;张建豪;孙月梅;薛建忠;吴世臣;袁丽;吴卫华;郑龙;翟良君 | 申请（专利权）人： | 江苏理工学院 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙)32231 | 代理人： | 翁斌 |
| 地址： | 213001 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体材料领域，公开了一种掺氮的Sb纳米相变薄膜材料，其化学组成通式为SbNx，其中Sb代表锑元素，N代表氮原子，x代表不同的掺氮量标记，x＝1、2或3；经EDS测定，x＝1时掺入的氮原子百分比为9.6％,x＝2时掺入的氮原子百分比为15.3％；x＝3时掺入的氮原子百分比为22.5％。本发明的掺氮的Sb材料较好的解决了纯Sb材料的缺点和不足。通过掺入不同的氮原子，使Sb的晶化温度有了明显的提高，数据保持能力得到加强，因而提高了其稳定性。同时通过晶态电阻的提高，使得其RESET功耗降低了。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sb 纳米 相变 薄膜 材料 及其 制备 方法 用途 | ||
【主权项】：
一种掺氮的Sb纳米相变薄膜材料，其特征在于：其化学组成通式为SbNx，其中Sb代表锑元素，N代表氮原子，x代表不同的掺氮量标记，x＝1、2或3；经EDS测定，x＝1时掺入的氮原子百分比为9.6％，x＝2时掺入的氮原子百分比为15.3％；x＝3时掺入的氮原子百分比为22.5％。
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