[发明专利]一种长余辉发光材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201610850476.3 | 申请日： | 2016-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN106433635B | 公开（公告）日： | 2018-07-27 |
| 发明（设计）人： | 李成宇;孙文芝;庞然;姜丽宏;张粟 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春应用化学研究所 |
| 主分类号： | C09K11/66 | 分类号： | C09K11/66 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 赵青朵 |
| 地址： | 130022 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种长余辉发光材料，其化学式如式（I）所示：K1‑x‑y‑z‑a‑bLiaNabGa1‑cAlcGe1‑dSidO4:xBi3+,yM2+,zR3+，式（I）；式（I）中，M为Mg、Ca、Sr、Ba和Zn中的一种或多种；R为Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中的一种或多种；0.0001≤x≤0.20，0≤y≤0.20，0≤z≤0.20，0≤a≤0.20，0≤b≤0.20，0≤c≤0.20，0≤d≤0.20。本发明提供的长余辉发光材料以Bi3+离子为激活离子，它能够被紫外光有效激发，产生青‑蓝颜色可调长余辉，余辉亮度高、时间长。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 余辉 发光 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种长余辉发光材料，其特征在于，其化学式如式(I)所示：K1‑x‑y‑z‑a‑bLiaNabGa1‑cAlcGe1‑dSidO4:xBi3+,yM2+,zR3+，式(I)；式(I)中，M为Mg、Ca、Sr、Ba和Zn中的一种或多种；R为Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Gd、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中的一种或多种；0.0001≤x≤0.20，0≤y≤0.20，0≤z≤0.20，0≤a≤0.20，0≤b≤0.20，0≤c≤0.20，0≤d≤0.20。
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