[发明专利]一种用于LED的GaN外延结构以及制备方法有效
| 申请号： | 201610841964.8 | 申请日： | 2016-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN106299052B | 公开（公告）日： | 2018-11-27 |
| 发明（设计）人： | 王文庆 | 申请（专利权）人： | 绍兴市上虞宜美照明电器有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人： | 连平 |
| 地址： | 312300 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种GaN外延结构以及制备方法，特别涉及一种用于LED的GaN外延结构以及制备方法。GaN外延结构包括依次层叠生长的成核层、未掺杂GaN层、n型GaN层、n应力释放层、多量子阱结构、p应力释放层、p型电子阻挡层及p型GaN空穴活化层，所述n应力释放层是由In组分含量递增渐变的InGaN/GaN超晶格层形成，所述p应力释放层是由In组分含量递增渐变的InN/GaN超晶格层形成。本发明能够有效增加电子与空穴的浓度，提高量子阱发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 led gan 外延 结构 以及 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于LED的GaN外延结构，包括依次层叠的成核层、未掺杂GaN层、n型GaN层、多量子阱结构、p型电子阻挡层及p型GaN空穴活化层，其特征在于：还包括n应力释放层和p应力释放层，所述n应力释放层是由In组分含量递增渐变的InGaN/GaN超晶格层形成，所述p应力释放层是由In组分含量递增渐变的InN/GaN超晶格层形成；其中，未掺杂GaN层包括纵向生长层与u‑GaN横向生长层；所述n型GaN层包括低掺杂Si浓度的n‑GaN层，Si掺杂的AlGaN层以及高掺杂Si浓度的n‑GaN层；p型电子阻挡层是由Al组分含量递增渐变的p型AlGaN/GaN超晶格层形成；所述p型GaN空穴活化层为InGaN。
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