[发明专利]一种AlN薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201610841499.8 | 申请日： | 2016-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN106282915B | 公开（公告）日： | 2019-05-28 |
| 发明（设计）人： | 王文庆 | 申请（专利权）人： | 昆山运城塑业有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/02 | 分类号： | C23C14/02;C23C14/06;C23C14/35 |
| 代理公司： | 上海洞鉴知识产权代理事务所(普通合伙) 31346 | 代理人： | 刘少伟 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及宽禁带半导体的制备领域，特别涉及一种(100)择优取向的AlN薄膜的制备方法，包括以下步骤：(1)衬底预处理；(2)靶材预处理；(3)采用离子束辅助沉积技术，Ar+离子束溅射沉积Al膜，N+离子束轰击Al膜，在衬底上形成AlN缓冲层；(4)N2、Ar以及NH3混合气体下，采用磁控溅射沉积技术，在AlN缓冲层上形成AlN薄膜。该方法制得的薄膜(100)择优取向生长,且薄膜质量优良。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 预处理 择优取向 衬底 薄膜 离子束辅助沉积技术 离子束溅射沉积 磁控溅射沉积 宽禁带半导体 离子束轰击 混合气体 靶材 生长 | ||
【主权项】：
1.一种AlN薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)衬底预处理；(2)靶材预处理；(3)采用离子束辅助沉积技术，Ar+离子束溅射沉积Al膜，N+离子束轰击Al膜，在衬底上形成AlN缓冲层；(4)N2、Ar以及NH3混合气体下，采用磁控溅射沉积技术，在AlN缓冲层上形成AlN薄膜；其中，磁控溅射沉积AlN薄膜时NH3含量占2％～5％，磁控溅射沉积AlN薄膜分次进行，NH3含量依次逐渐增多；磁控溅射时Ar与N2体积之比为1:1。
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