[发明专利]一种基于可见光二次激发的高显指白光量子点LED的制备方法有效
| 申请号： | 201610836886.2 | 申请日： | 2016-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN106450011B | 公开（公告）日： | 2023-06-02 |
| 发明（设计）人： | 张万路;杨武;梅时良;朱嘉弢;陈秋行;贺良杰;郭睿倩;许妍 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H10K50/115 | 分类号： | H10K50/115;H10K50/842;H10K71/00 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;陆尤 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体照明技术领域，具体为一种基于可见光二次激发的的高显指白光LED及其制备方法。本发明LED的基本结构为：在高导热陶瓷基片上，依次为紫外LED芯片、C量子点发光薄膜、发绿光的CdTe/ZnS量子点发光薄膜、发红光的CdTe/ZnS量子点发光薄膜；配光透镜为半球形，将整个芯片罩在配光透镜内。它以紫外LED为激发光源，通过调节三层量子点薄膜的厚度，来实现高光效，高显色指数的白光量子点LED。与传统发光模式不同的是，它不是用紫外光源直接激发三种发光层，而是用紫外激发C量子点产生蓝光，然后用蓝光激发CdTe/ZnS量子点产生绿光和红光，从而实现高显色指数的白光。这种LED采用可见光激发，可以减少紫外光的泄露，并且选用材料绿色无毒，且成本低廉。 | ||
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【主权项】：
一种基于可见光二次激发的高显指白光量子点LED，其特征在于，基本结构为：在高导热陶瓷基片上，依次为紫外LED芯片、C量子点发光薄膜、发绿光的CdTe/ZnS量子点发光薄膜、发红光的CdTe/ZnS量子点发光薄膜；在高导热陶瓷基片上、紫外LED芯片区域外是蒸镀的银质反射膜，紫外LED芯片的电极与高导热陶瓷基片的焊盘由金线连接；配光透镜为半球形，其底部通过固定支架9与高导热陶瓷基片固定连接，并将整个芯片罩在配光透镜内。
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