[发明专利]粉末覆盖衬底加热CH3NH3PbI3钙钛矿薄膜制备方法有效

专利信息
申请号: 201610834340.3 申请日: 2016-09-20
公开(公告)号: CN106340591B 公开(公告)日: 2019-01-01
发明(设计)人: 王晓春;丁相宇;张希艳;柏朝晖;卢利平;米晓云;孙海鹰;刘全生;王能利 申请(专利权)人: 长春理工大学
主分类号: H01L51/48 分类号: H01L51/48
代理公司: 长春菁华专利商标代理事务所(普通合伙) 22210 代理人: 陶尊新
地址: 130022 吉林*** 国省代码: 吉林;22
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摘要: 粉末覆盖衬底加热CH3NH3PbI3钙钛矿薄膜制备方法属于钙钛矿太阳能电池薄膜技术领域。现有技术工艺步骤复杂,对工艺条件要求高。本发明之粉末覆盖衬底加热CH3NH3PbI3钙钛矿薄膜制备方法先在衬底上制备PbI2薄膜,CH3NH3I在PbI2薄膜内与PbI2发生固相反应生成CH3NH3PbI3钙钛矿薄膜,其特征在于,将粒径为10~50μm的CH3NH3I晶体粉末均匀平铺在所述PbI2薄膜的表面,自衬底处加热为CH3NH3I和PbI2提供80~100℃的固相反应温度,经过8~10min完成所述固相反应。该制备方法简单,工艺条件宽松;产物薄膜呈多晶态,结构致密、结晶度高、晶粒尺寸达到微米级,在可见光波段具有良好的吸收,能够用作光伏领域中的吸光材料。
搜索关键词: 粉末 覆盖 衬底 加热 ch3nh3pbi3 钙钛矿 薄膜 制备 方法
【主权项】:
1.一种粉末覆盖衬底加热CH3NH3PbI3钙钛矿薄膜制备方法,先在衬底上制备PbI2薄膜,CH3NH3I在PbI2薄膜内与PbI2发生固相反应生成CH3NH3PbI3钙钛矿薄膜,其特征在于,将粒径为10~50μm的CH3NH3I晶体粉末均匀平铺在所述PbI2薄膜的表面,自衬底处加热为CH3NH3I和PbI2提供80~100℃的固相反应温度,经过8~10min完成所述固相反应。
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