[发明专利]一种二维光栅结构的倒装芯片及其生产方法有效
| 申请号： | 201610833348.8 | 申请日： | 2016-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN106299094B | 公开（公告）日： | 2019-01-22 |
| 发明（设计）人： | 彭璐;于峰;厉夫吉;徐现刚 | 申请（专利权）人： | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/58 | 分类号： | H01L33/58;H01L33/60 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 王楠 |
| 地址： | 261061 *** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种二维光栅结构的倒装芯片及其生产方法。所述包括自上而下依次设置的DBR、透明导电层、外延片P‑GaN层、MQW层、N‑GaN层和衬底；DBR平面的X、Y方向分别设置有光栅组，构成二维光栅；倒装芯片的上侧设置有两条贯穿DBR、透明导电层、外延片P‑GaN层和MQW层的N凹槽和一条贯穿DBR的P凹槽；N凹槽和P凹槽内分别设置有N‑pad和P‑pad。1.本发明所述二维光栅结构的倒装芯片，在倒装芯片的反射镜上制作二维光栅，将光栅、反射镜合为一体，在实现反射作用的同时，形成反射光栅，将受限光进行扩束、反射，改善了临界角对光的限制，提高芯片的出光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 二维 光栅 结构 倒装 芯片 及其 生产 方法 | ||
【主权项】：
1.一种二维光栅结构的倒装芯片，其特征在于，包括自上而下依次设置的DBR、透明导电层、外延片P‑GaN层、MQW层、N‑GaN层和衬底；DBR平面的X、Y方向分别设置有光栅组，构成二维光栅；倒装芯片的上侧设置有两条贯穿DBR、透明导电层、外延片P‑GaN层和MQW层的N凹槽和一条贯穿DBR的P凹槽；N凹槽和P凹槽内分别设置有N‑pad和P‑pad。
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