[发明专利]制造半导体器件的方法和图案化方法有效
| 申请号： | 201610831395.9 | 申请日： | 2016-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN106548931B | 公开（公告）日： | 2021-09-14 |
| 发明（设计）人： | 韩东佑;梁光容;李珍旭;田炅烨;丁海建;金度亨 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/8234;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 韩明星;刘灿强 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了一种制造半导体器件的方法和图案化方法，所述制造半导体器件的方法包括：在基底的第一区域和第二区域上分别形成第一有源图案和第二有源图案；在第一有源图案和第二有源图案上分别形成第一栅极结构和第二栅极结构；形成包覆层以覆盖第一栅极结构和第二栅极结构以及第一有源图案和第二有源图案；在第一栅极结构之间的第一有源图案中形成第一凹进区，在第二栅极结构之间的第二有源图案中形成第二凹进区。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 图案 | ||
【主权项】：
一种制造半导体器件的方法，包括：提供具有第一区域和第二区域的基底；在基底的第一区域和第二区域处分别形成第一有源图案和第二有源图案；形成与第一有源图案交叉的多个第一栅极结构，多个第一栅极结构沿第一有源图案彼此分隔开第一距离，以及形成与第二有源图案交叉的多个第二栅极结构，多个第二栅极结构沿第二有源图案彼此分隔开第二距离；形成包覆层以覆盖第一栅极结构和第二栅极结构以及第一有源图案和第二有源图案；执行凹进工艺以形成在第一栅极结构之间的第一有源图案中的第一凹进和在第二栅极结构之间的第二有源图案中的第二凹进；以及在第一凹进和第二凹进中形成源极/漏极外延层，其中，包覆层在第一有源图案的位于第一栅极结构之间的区域上形成为第一厚度，在第二有源图案的位于第二栅极结构之间的区域上形成为与第一厚度不同的第二厚度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610831395.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
