[发明专利]柔性铜铟镓硒薄膜太阳电池单片集成组件的制备方法在审
申请号: | 201610830406.1 | 申请日: | 2016-09-19 |
公开(公告)号: | CN106328737A | 公开(公告)日: | 2017-01-11 |
发明(设计)人: | 闫礼;乔在祥;冯洋;刘洋;张超;冯金晖 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第十八研究所 |
主分类号: | H01L31/0463 | 分类号: | H01L31/0463;H01L31/0465 |
代理公司: | 天津市鼎和专利商标代理有限公司12101 | 代理人: | 李凤 |
地址: | 300384 天津市滨海*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 本发明公开了一种柔性铜铟镓硒薄膜太阳电池单片集成组件的制备方法,柔性铜铟镓硒薄膜太阳电池自下而上依次包括:衬底、背电极层、吸收层、缓冲层、高阻层、透明导电层;制备方法包括:步骤1、采用激光蚀刻法在柔性铜铟镓硒薄膜太阳电池上蚀刻出至少一组沟道,每组沟道包括第一条沟道、第二条沟道、第三条沟道;第一条沟道的底面为衬底的上表面;第二条沟道位于第一条沟道和第三条沟道之间;第二条沟道的底面为背电极层的上表面;第三条沟道的底面位于高阻层的上表面至背电极层的上表面之间;步骤2、向第一条沟道内灌注绝缘材料并进行固化;步骤3、填充电极材料并固化;步骤4、从单片集成组件引出正、负极,然后进行封装。 | ||
搜索关键词: | 柔性 铜铟镓硒 薄膜 太阳电池 单片 集成 组件 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种柔性铜铟镓硒薄膜太阳电池单片集成组件的制备方法,所述柔性铜铟镓硒薄膜太阳电池自下而上依次包括:衬底(1)、背电极层(2)、吸收层(3)、缓冲层(4)、高阻层(5)、透明导电层(6);至少包括如下步骤:步骤101、采用激光蚀刻法自上而下在柔性铜铟镓硒薄膜太阳电池上蚀刻出至少一组沟道和绝缘线沟道(12),每组沟道包括第一条沟道(7)、第二条沟道(8)、第三条沟道(9);其中:所述第一条沟道(7)的底面为衬底(1)的上表面;所述第二条沟道(8)位于第一条沟道(7)和第三条沟道(9)之间;所述第二条沟道(8)的底面为背电极层(2)的上表面;所述第三条沟道(9)的底面位于高阻层(5)的上表面至背电极层(2)的上表面之间;所述绝缘线沟道(12)的底面为衬底(1)的上表面;步骤102、向第一条沟道(7)内灌注绝缘材料(10)并进行固化;步骤103、填充电极材料并固化,具体为:在第二条沟道(8)内填充电极材料(11);同时,上述电极材料(11)越过第一条沟道(7),进而覆盖至第一条沟道(7)一侧的顶电极,使得银浆与背电极充分接触,前一个子电池的顶电极与后一个子电池的背电极相连接,实现子电池之间的串联;步骤104、从单片集成组件引出正、负极,然后进行封装。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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