[发明专利]一种胶链量子点薄膜的方法与量子点薄膜有效
申请号: | 201610827641.3 | 申请日: | 2016-09-18 |
公开(公告)号: | CN106229426B | 公开(公告)日: | 2019-06-04 |
发明(设计)人: | 向超宇;曾世荣 | 申请(专利权)人: | TCL集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56 |
代理公司: | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人: | 王永文;刘文求 |
地址: | 516006 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开一种胶链量子点薄膜的方法与量子点薄膜,其中,方法包括步骤:将胶体量子点制备成一层或多层量子点薄膜,成膜后量子点薄膜中的溶剂挥发,形成只有量子点的量子点薄膜;将量子点薄膜放入真空等离子体发生腔体;在真空等离子体发生腔体内通入H2,随后H2转变成H等离子,通过H等离子胶链量子点薄膜。本发明采用HHIC胶链量子点薄膜,并改进了其工艺,使量子点薄膜有更好的抗溶剂和机械力的作用。本发明HHIC胶链量子点薄膜的方法耗时短,条件要求低,对反应物没有特殊要求。而且不会产生新的物质。另外,本发明经过HHIC胶链的薄膜在稳定性上优于传统加热胶链的薄膜,并且其电学性质没有变化。HHIC能够扩大溶液法的应用和选材范围。 | ||
搜索关键词: | 一种 量子 薄膜 方法 | ||
【主权项】:
1.一种胶链量子点薄膜的方法,其特征在于,包括步骤:A、将胶体量子点制备成一层或多层量子点薄膜,成膜后将量子点薄膜中的溶剂挥发,形成只有量子点的量子点薄膜;B、将量子点薄膜放入真空等离子体发生腔体;C、在真空等离子体发生腔体内通入H2,并使通入的H2转变成H等离子,通过H等离子胶链量子点薄膜;步骤C中,通过调控H等离子体的强度控制量子点薄膜的胶链速率。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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