[发明专利]一种基于银纳米线(AgNW)基底电致变色材料调节近红外光的方法在审
申请号: | 201610827225.3 | 申请日: | 2016-09-14 |
公开(公告)号: | CN106405969A | 公开(公告)日: | 2017-02-15 |
发明(设计)人: | 严辉;周开岭;汪浩;张永哲 | 申请(专利权)人: | 北京工业大学 |
主分类号: | G02F1/153 | 分类号: | G02F1/153;G02F1/155 |
代理公司: | 北京思海天达知识产权代理有限公司11203 | 代理人: | 张立改 |
地址: | 100124 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种基于银纳米线(Ag NW)基底电致变色材料调节近红外光的方法,属于功能材料制备及应用领域。将长度至少为50微米、半径80‑12nm的银纳米线通过旋涂及真空热压法在透明衬底上制备一层均匀分散的银纳米线透明导电层,进而得到透明导电电极;在银纳米线透明导电层表面沉积一层电致变色薄膜,得到银纳米线基底电致变色薄膜;通过将所得到的银纳米线基底电致变色薄膜、铂片电极、Ag/KCl参比电极组成三电极体系,与电解液组成电致变色电化学反应体系,通过控制施加电压大小,进行着色‑褪色变换,进行近红外波段不同波长处的光学调控。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 纳米 agnw 基底 变色 材料 调节 红外光 方法 | ||
【主权项】:
一种基于银纳米线(Ag NW)基底电致变色材料调节近红外光的方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)将长度至少为50微米、半径80‑12nm的银纳米线通过旋涂及真空热压法在透明衬底上制备一层均匀分散的银纳米线透明导电层,进而得到透明导电电极;在银纳米线透明导电层表面沉积一层电致变色薄膜,得到银纳米线基底电致变色薄膜;(2)通过将所得到的银纳米线基底电致变色薄膜、铂片电极、Ag/KCl参比电极组成三电极体系,与电解液组成电致变色电化学反应体系,通过控制施加电压大小,进行着色‑褪色变换,进行近红外波段不同波长处的光学调控。
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