[发明专利]一种柔性铜铟镓硒薄膜太阳电池组件内联方法有效

专利信息
申请号: 201610826789.5 申请日: 2016-09-19
公开(公告)号: CN106129147B 公开(公告)日: 2017-06-27
发明(设计)人: 闫礼;乔在祥;冯洋;刘洋;张超;冯金晖 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第十八研究所
主分类号: H01L31/0463 分类号: H01L31/0463;H01L31/0465
代理公司: 天津市鼎和专利商标代理有限公司12101 代理人: 李凤
地址: 300384 天津市滨海*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 发明公开了一种柔性铜铟镓硒薄膜太阳电池组件内联方法,包括如下步骤步骤1、采用激光蚀刻法在透明导电层上蚀刻出至少一条预处理沟道;预处理沟道的底面为高阻层的上表面;步骤2、采用激光蚀刻法在每条预处理沟道的一侧分别蚀刻出第一条沟道、第二条沟道、第三条沟道;第一条沟道的一个侧边与预处理沟道连通;第一条沟道的底面为衬底的上表面;第二条沟道位于第一条沟道和第三条沟道之间;第二条沟道的底面为背电极层的上表面;第三条沟道的底面位于高阻层的上表面至背电极层的上表面之间;步骤3、向第一条沟道和预处理沟道内灌注绝缘材料并进行固化;步骤4、采用丝网印刷的方法印刷银浆并进行固化;步骤5、固化电极材料。
搜索关键词: 一种 柔性 铜铟镓硒 薄膜 太阳电池 组件 内联 方法
【主权项】:
一种柔性铜铟镓硒薄膜太阳电池组件内联方法,其特征在于:所述柔性铜铟镓硒薄膜太阳电池自下而上依次包括:衬底(1)、背电极层(2)、吸收层(3)、缓冲层(4)、高阻层(5)、透明导电层(6);至少包括如下步骤:步骤101、采用激光蚀刻法自上而下在所述透明导电层(6)上蚀刻出至少一条预处理沟道(7);所述预处理沟道(7)的底面为高阻层(5)的上表面;步骤102、采用激光蚀刻法自上而下在每条预处理沟道(7)的一侧分别蚀刻出第一条沟道(8)、第二条沟道(9)、第三条沟道(10);其中:所述第一条沟道(8)的一个侧边与预处理沟道(7)连通;所述第一条沟道(8)的底面为衬底(1)的上表面;所述第二条沟道(9)位于第一条沟道(8)和第三条沟道(10)之间;所述第二条沟道(9)的底面为背电极层(2)的上表面;所述第三条沟道(10)的底面位于高阻层(5)的上表面至背电极层(2)的上表面之间;步骤103、向第一条沟道(8)和预处理沟道(7)内灌注绝缘材料(11)并进行固化;步骤104、采用丝网印刷的方法印刷银浆并进行固化;具体为:将银浆填充在第二条沟道(9)内,所述银浆越过第一条沟道(8),进而覆盖至第一条沟道(8)一侧的顶电极,使得银浆与背电极充分接触,前一个子电池的顶电极与后一个子电池的背电极相连接,实现子电池之间的串联;步骤105、固化电极材料(12)。
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