[发明专利]制造PZT纳米粒子墨水基压电传感器的方法和系统有效
| 申请号： | 201610825171.7 | 申请日： | 2012-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN106185795B | 公开（公告）日： | 2018-01-09 |
| 发明（设计）人： | J·L·杜斯;S·R·约翰斯顿;I-Y·沈;G·曹;H-L·黄 | 申请（专利权）人： | 波音公司;华盛顿大学商业化中心 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;G01D5/12 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司11245 | 代理人： | 徐东升,赵蓉民 |
| 地址： | 美国伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开在一个实施例中提供了制造锆钛酸铅(PZT)纳米粒子墨水基压电传感器(110)的方法。该方法具有按配方配制锆钛酸铅(PZT)纳米粒子墨水(104)的步骤。该方法还具有经由墨水沉积过程(122)将所述PZT纳米粒子墨水(104)沉积在基体(101)上以形成PZT纳米粒子墨水基压电传感器(110)的步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 pzt 纳米 粒子 墨水 压电 传感器 方法 系统 | ||
【主权项】：
一种沉积的锆钛酸铅纳米粒子墨水基压电传感器组件，即沉积的PZT纳米粒子墨水基压电传感器组件，其包含：基体；以及直写沉积的锆钛酸铅纳米粒子墨水基压电传感器组件即PZT纳米粒子墨水基压电传感器组件，其沉积在所述基体上，所述PZT纳米粒子墨水基压电传感器组件包含：PZT纳米粒子墨水基压电传感器，其包含经由墨水沉积直写印制过程沉积在所述基体上的PZT纳米粒子墨水，所述PZT纳米粒子墨水一旦被沉积则不需要高温烧结或结晶过程；以及动力和通信电线组件，其被联接到所述PZT纳米粒子墨水基压电传感器，所述动力和通信电线组件包含经由所述墨水沉积直写印制过程被沉积在所述基体上的导电墨水。
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