[发明专利]制造PZT纳米粒子墨水基压电传感器的方法和系统

权利要求书

1.一种沉积的锆钛酸铅纳米粒子墨水基压电传感器组件，即沉积的PZT纳米粒子墨水基压电传感器组件，其包含：

基体；以及

直写沉积的锆钛酸铅纳米粒子墨水基压电传感器组件即PZT纳米粒子墨水基压电传感器组件，其沉积在所述基体上，所述PZT纳米粒子墨水基压电传感器组件包含：

PZT纳米粒子墨水基压电传感器，其包含经由墨水沉积直写印制过程沉积在所述基体上的PZT纳米粒子墨水，所述PZT纳米粒子墨水一旦被沉积则不需要高温烧结或结晶过程；以及

动力和通信电线组件，其被联接到所述PZT纳米粒子墨水基压电传感器，所述动力和通信电线组件包含经由所述墨水沉积直写印制过程被沉积在所述基体上的导电墨水。

2.根据权利要求1所述的沉积的PZT纳米粒子墨水基压电传感器组件，其中所述PZT纳米粒子墨水包括纳米级PZT粒子。

3.根据权利要求1所述的沉积的PZT纳米粒子墨水基压电传感器组件，其中所述PZT纳米粒子墨水包括用于促进所述PZT纳米粒子墨水粘结到所述基体的溶胶-凝胶基粘结促进剂。

4.根据权利要求1所述的沉积的PZT纳米粒子墨水基压电传感器组件，其中所述墨水沉积直写印制过程不需要PZT晶体在所述基体上生长。

5.根据权利要求1所述的沉积的PZT纳米粒子墨水基压电传感器组件，其中所述墨水沉积直写印制过程包括下列中的一种：喷射原子化沉积过程、墨水喷射印制过程、气雾剂印制过程、脉冲激光蒸发过程、柔印过程、微喷涂印制过程、平网丝印过程、旋转丝网印制过程和凹版印制过程。

6.根据权利要求1所述的沉积的PZT纳米粒子墨水基压电传感器组件，其中所述基体包括复合材料、金属材料或复合材料和金属材料的组合。

7.根据权利要求1所述的沉积的PZT纳米粒子墨水基压电传感器组件，其中所述基体具有弯曲表面。

8.根据权利要求1所述的沉积的PZT纳米粒子墨水基压电传感器组件，其中所述PZT纳米粒子墨水基压电传感器以定制形状被沉积在所述基体上。

9.根据权利要求1所述的沉积的PZT纳米粒子墨水基压电传感器组件，其中所述动力和通信电线组件是包含第一导电电极、第二导电电极、第一导电示踪电线和第二导电示踪电线的致动器。

10.根据权利要求9所述的沉积的PZT纳米粒子墨水基压电传感器组件，其中所述第一导电电极、所述第二导电电极、所述第一导电示踪电线和所述第二导电示踪电线相邻于所述PZT纳米粒子墨水基压电传感器。

11.一种复合结构，其包含：

复合基体；以及

直写沉积的锆钛酸铅纳米粒子墨水基压电传感器组件即PZT纳米粒子墨水基压电传感器组件，其沉积在所述复合基体上，所述PZT纳米粒子墨水基压电传感器组件包含：

PZT纳米粒子墨水基压电传感器，其包含经由墨水沉积直写印制过程沉积在所述复合基体上的PZT纳米粒子墨水，所述PZT纳米粒子墨水一旦被沉积则不需要高温烧结或结晶过程；以及

动力和通信电线组件，其被联接到所述PZT纳米粒子墨水基压电传感器，所述动力和通信电线组件包含经由所述墨水沉积直写印制过程被沉积在所述复合基体上的导电墨水。

12.根据权利要求11所述的复合结构，其中所述PZT纳米粒子墨水包括纳米级PZT粒子。

13.根据权利要求11所述的复合结构，其中所述PZT纳米粒子墨水包括用于促进所述PZT纳米粒子墨水粘结到所述复合基体的溶胶-凝胶基粘结促进剂。

14.根据权利要求11所述的复合结构，其中所述墨水沉积直写印制过程包括下列中的一种：喷射原子化沉积过程、墨水喷射印制过程、气雾剂印制过程、脉冲激光蒸发过程、柔印过程、微喷涂印制过程、平网丝印过程、旋转丝网印制过程和凹版印制过程。

15.根据权利要求11所述的复合结构，其中所述复合基体具有弯曲表面。

16.根据权利要求11所述的复合结构，其中所述动力和通信电线组件是包含第一导电电极、第二导电电极、第一导电示踪电线和第二导电示踪电线的致动器。