[发明专利]用于读取阵列中的闪存单元的带位线预充电电路的改进读出放大器有效

专利信息
申请号: 201610815185.0 申请日: 2016-09-09
公开(公告)号: CN107808683B 公开(公告)日: 2021-02-19
发明(设计)人: 盛斌;S.周;T.王;R.钱;L.郭;D.白 申请(专利权)人: 硅存储技术公司
主分类号: G11C16/26 分类号: G11C16/26
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 吕传奇;杜荔南
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明涉及用于读取阵列中的闪存单元的值的改进读出放大器。在一个实施例中,读出放大器包括改进的预充电电路,以用于在预充电周期期间对位线进行预充电,从而提高读操作的速度。在另一个实施例中,读出放大器包括简化的地址解码电路,以提高读操作的速度。
搜索关键词: 用于 读取 阵列 中的 闪存 单元 带位线预 充电 电路 改进 读出 放大器
【主权项】:
一种用于读取闪存单元的第一阵列中或闪存单元的第二阵列中的所选闪存单元的读出电路,包括:耦合到所述第一阵列中的第一位线的第一电路;耦合到所述第二阵列中的第二位线的第二电路;比较器,所述比较器包括耦合到所述第一电路中的第一节点的第一输入,以及耦合到所述第二电路中的第二节点的第二输入,所述比较器的输出耦合到第一组反相器,并且耦合到与所述第一组反相器并联的第二组反相器,所述第一组反相器包括奇数个反相器,并且所述第二组反相器包括偶数个反相器;多路复用器,所述多路复用器包括用于接收所述第一组反相器的输出的第一输入,以及用于接收所述第二组反相器的输出的第二输入,所述多路复用器受到选择信号的控制,以输出指示存储在所述所选闪存单元中的数据的信号;其中所述选择信号被设定为第一状态或第二状态,所述第一状态指示所述第一位线耦合到所述所选闪存单元并且所述第二位线为参考位线,而所述第二状态指示所述第一位线为参考位线并且所述第二位线耦合到所述所选闪存单元。
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