[发明专利]制造光调制器的方法在审
| 申请号: | 201610811383.X | 申请日: | 2016-09-08 |
| 公开(公告)号: | CN106990562A | 公开(公告)日: | 2017-07-28 |
| 发明(设计)人: | 孙震国;陈定波 | 申请(专利权)人: | 孙震国 |
| 主分类号: | G02F1/00 | 分类号: | G02F1/00;G02F1/015 |
| 代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司11219 | 代理人: | 张焕生,谢丽娜 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | 制造光调制器的方法。制造根据本发明的光电耦合开关的方法需要半导体材料层的一系列重新构形。首先,建立基础构件,其中半导体层被安置在绝缘体材料层上,所述绝缘体材料层被安置在半导体层和半导体衬底之间。按次序,利用第一蚀刻,所述半导体层被蚀刻以在狭槽的两侧建立波导。在第二蚀刻中,所述狭槽被加深以在狭槽中暴露绝缘体材料层。利用第三接触垫掺杂处理,垫可以被安置在绝缘体材料层上使得与所述相应波导电接触,金属接触器可以随后被置于接触垫上,所述狭槽可由光电聚合物填充,并且在需要时所述聚合物可以被极化。 | ||
| 搜索关键词: | 制造 调制器 方法 | ||
【主权项】:
一种光电耦合开关,包括:基础构件,所述基础构件具有长度L、宽度Ws和厚度T,其中所述基础构件限定了中分面,所述中分面等距地位于所述基础构件的相对的侧面之间,并且其中所述基础构件包括半导体材料层和硅层,二氧化硅绝缘体层位于所述半导体材料层和所述硅层之间,以及,其中所述半导体材料被挖改,沿着所述长度L经过从所述基础构件的每个侧面向所述中分面延伸的距离Xe,从所述半导体材料挖去材料至深度d1,并且其中所述半导体材料还被挖改,沿着所述长度L经过关于所述中分面中央对称的距离Xc,从所述半导体材料挖去材料至深度d2,使得在所述半导体材料中形成的相对的波导之间建立经过所述半导体材料的狭槽,其中每个波导具有宽度Xw以及长度L,其中d2>d1,并且Ws=2Xe+2Xw+Xc;聚合物交叉耦合材料,所述聚合物交叉耦合材料填充所述狭槽;一对接触垫,其中每个接触垫从所述基础构件的每个侧面延伸经过距离Xd使得与相应波导连接,其中Xd<Xe;以及与相应接触垫连接的相应金属电极,用于选择性地为所述光电耦合开关提供来自电压源的切换电压Vπ。
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