[发明专利]一种抗PID效应的光伏组件有效
| 申请号： | 201610808668.8 | 申请日： | 2016-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN106299001B | 公开（公告）日： | 2019-04-23 |
| 发明（设计）人： | 胡杰;林家辉;覃冬梅;刘洪明 | 申请（专利权）人： | 珠海格力电器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/048 | 分类号： | H01L31/048;H02S30/10 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆;胡彬 |
| 地址： | 519070 广东省珠海*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及太阳能光伏组件技术领域，尤其涉及一种抗PID效应的光伏组件。抗PID效应的光伏组件包括边框，以及设置在边框内的光伏层压组件，其中，所述边框和光伏层压组件之间设置绝缘结构。本发明通过绝缘结构的设置，可以隔断边框与光伏层压组件之间的电子转移，从而达到抗PID效应的效果。此种抗PID效应的方式，不会影响光伏组件自身的发电效率也不会影响光伏系统的电气安全，原有的常规组件封装工艺不需要太大变化即可实现抗PID效应的光伏组件的封装，没有明显的成本增加，操作相对简单。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 pid 效应 组件 | ||
【主权项】：
1.一种抗PID效应的光伏组件，包括边框(1)，以及设置在边框(1)内的光伏层压组件(2)，其特征在于，所述边框(1)和光伏层压组件(2)之间设置绝缘结构(3)，所述边框(1)上设置有凹槽结构(11)，所述绝缘结构(3)和光伏层压组件(2)之间填充有密封硅胶(12)；所述绝缘结构(3)由硬质材料制成，所述绝缘结构(3)为U型结构，该U型结构的中间形成容纳空间，所述U型结构的外侧通过过盈配合的方式卡接在所述边框(1)的所述凹槽结构(11)内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
