[发明专利]一种带自毁功能的存储器在审
申请号: | 201610804739.7 | 申请日: | 2016-09-06 |
公开(公告)号: | CN106384062A | 公开(公告)日: | 2017-02-08 |
发明(设计)人: | 叶曲 | 申请(专利权)人: | 四川知周科技有限责任公司 |
主分类号: | G06F21/78 | 分类号: | G06F21/78 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 610000 *** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明公开了一种带自毁功能的存储器,其特征在于,主要由稳态开关,与稳态开关相连接的单片机,与单片机相连接的高压脉冲输出单元,与高压脉冲输出单元相连接的储存单元,与储存单元相连接的USB通讯接口,以及同时与稳态开关、单片机、高压脉冲输出单元、以及储存单元相连接的电源组成。本发明在触动稳态开关后产生瞬间高压脉冲,销毁储存单元,从而达到真正的数据物理销毁,整个销毁过程时间极短,并且数字销毁后无法再复原,有效的防止数据泄露。 | ||
搜索关键词: | 一种 自毁 功能 存储器 | ||
【主权项】:
一种带自毁功能的存储器,其特征在于,主要由稳态开关,与稳态开关相连接的单片机,与单片机相连接的高压脉冲输出单元,与高压脉冲输出单元相连接的储存单元,与储存单元相连接的USB通讯接口,以及同时与稳态开关、单片机、高压脉冲输出单元、以及储存单元相连接的电源组成;所述高压脉冲输出单元由处理芯片U,三极管VT9,二极管D6,一端与三极管VT9的发射极相连接、另一端接地的电阻R9,负极与处理芯片U的SHDN管脚相连接、正极经电阻R10后与三极管VT9的发射极相连接的电容C6,串接在处理芯片U的SW管脚和VIN管脚之间的电感L,P极与处理芯片U的VIN管脚相连接、N极经电阻R13后与处理芯片U的FB管脚相连接的二极管D5,一端与处理芯片U的GND管脚相连接、另一端接地的电阻R12,正极与三极管VT9的集电极相连接、负极与处理芯片U的FB管脚相连接的电容C7,串接在电容C7的负极和二极管D6的N极之间的电阻R11,正极与二极管D6的N极相连接、负极与二极管D5的N极相连接的电容C8,N极与二极管D6的P极相连接、P极与二极管D5的N极相连接的二极管D7,N极与二极管D6的P极相连接、P极与二极管D5的N极相连接的二极管D8,N极与处理芯片U的VIN管脚相连接、P极与电源相连接的二极管D4,与三极管VT9的基极相连接的耦合电路,与耦合电路相连接的互补跟随电路,与互补跟随电路相连接的RC滤波电路组成;所述二极管D5的N极接地;所述RC滤波电路与单片机相连接;所述二极管D6的P极与储存单元相连接。
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