[发明专利]一种射频下变频芯片

摘要

本发明涉及一种射频变频芯片，包括：封装在基板上的第一混频器、第一放大器、衰减器、滤波器、第二放大器、移相器、第二混频器，所述混频器和、放大器和衰减器、滤波器、移相器裸管芯通过金线将其压焊点与基板裸露焊点键合或通过金线将裸管芯与裸管芯的压焊点直接键合，形成射频通路；输入射频信号经过第一混频器，第一放大器，衰减器，滤波器，第二放大器，移相器和第二混频器后输出为中频信号。本发明采用裸管芯封装集成单颗SIP芯片，完成宽带射频信号下变频至窄带中频信号并输出，从根本上解决了下变频组件体积大、重量大、功耗大、量产周期长等问题。

主权项

1.一种射频下变频芯片，其特征在于，包括：封装在基板上的第一混频器(101)、第一放大器(102)、衰减器(103)、滤波器(104)、第二放大器(105)、移相器(106)、第二混频器(107)，所述第一混频器(101)和第二混频器(107)、第一放大器(102)和第二放大器(105)、衰减器(103)、滤波器(104)、移相器(106)裸管芯通过金线将裸管芯的压焊点与基板裸露焊点键合或通过金线将裸管芯与裸管芯的压焊点直接键合，形成射频通路；输入射频信号依次经过第一混频器(101)，第一放大器(102)，衰减器(103)，滤波器(104)，第二放大器(105)，移相器(106)和第二混频器(107)后输出为中频信号。