[发明专利]一种改善恢复时间和软度的快恢复二极管在审
| 申请号： | 201610797308.2 | 申请日： | 2016-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN106206754A | 公开（公告）日： | 2016-12-07 |
| 发明（设计）人： | 左义忠;薛云峰;孙俊波;于博伟 | 申请（专利权）人： | 吉林华微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/868 | 分类号： | H01L29/868;H01L29/08 |
| 代理公司： | 长春菁华专利商标代理事务所 22210 | 代理人： | 陶尊新 |
| 地址： | 132013*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 一种改善恢复时间和软度的快恢复二极管涉及半导体器件领域，该二极管减少发射区面积，即减少少数载流子注入的PN结的面积。在所述二极管的发射区等间距制作凹槽，所述凹槽的深度大于发射区的深度；在所述凹槽内制作绝缘层，使耐压漂移区与金属电极隔离。在通过选择性掺杂扩散形成的发射区之间制作绝缘层，使耐压漂移区与金属电极隔离。减少发射区面积，可以减少注入到耐压漂移区的少数载流子数量，调整漂移区的少数载流子注入水平。使注入到漂移区的少数载流子出现疏密相间的分布结果，可以改善快恢复二极管的温度稳定性。加快了PN结上电容的放电速度，减少了PN结区的恢复时间，减缓了漂移区的少数载流子消失的速度，改善了二极管恢复软度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 恢复时间 恢复 二极管 | ||
【主权项】：
一种改善恢复时间和软度的快恢复二极管，其特征在于，在所述二极管的发射区等间距制作凹槽，所述凹槽的深度大于发射区的深度；在所述凹槽内制作绝缘层，使耐压漂移区与金属电极隔离。
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