[发明专利]掩模图案的形成方法、基板的加工方法及元件芯片的制法有效

专利信息
申请号: 201610795913.6 申请日: 2016-08-31
公开(公告)号: CN106505028B 公开(公告)日: 2021-08-13
发明(设计)人: 广岛满;针贝笃史 申请(专利权)人: 松下知识产权经营株式会社
主分类号: H01L21/683 分类号: H01L21/683;H01L21/78
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 齐秀凤
地址: 日本国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明提供一种即使在将较薄的晶片状基板作为对象的情况下,也能够防止基板或基板的掩模图案发生损伤的掩模图案的形成方法、基板的加工方法及元件芯片的制造方法。在元件芯片的制造方法、掩模图案的形成方法以及基板的加工方法中,将工序顺序设定为在进行了设为对与贴附有感光性的保护膜(2)的第1面(1a)对置的第2面(1b)进行研磨而薄化的基板(1T)的研磨工序之后,进行将曝光完毕的保护膜(2I)图案化的显影工序。由此,能够在保护膜(2I)未图案化的稳定的状态下进行用于薄化的研磨,即使在将较薄的晶片状基板(1)作为对象的情况下,也能够防止基板(1)或形成基板(1)的掩模图案的保护膜(2I)的研磨时发生损伤。
搜索关键词: 图案 形成 方法 加工 元件 芯片 制法
【主权项】:
一种掩模图案的形成方法,将掩模图案形成于基板,包括:准备工序,准备在第1面具备感光性的保护膜的基板;曝光工序,对所述保护膜的至少一部分进行曝光;贴附工序,在所述曝光工序之后,将保护片贴附于所述第1面的所述保护膜;研磨工序,在所述贴附工序之后,对与所述第1面对置的第2面进行研磨来使所述基板薄化;剥离工序,在所述研磨工序之后,将所述保护片剥离来使所述第1面的所述保护膜露出;和显影工序,在所述剥离工序之后,通过使保护膜与选择性地溶解被曝光的保护膜和未被曝光的保护膜的任意一者的显影液接触,来将保护膜图案化。
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