[发明专利]一种突破外观缺陷机台检测极限的方法有效
| 申请号： | 201610795422.1 | 申请日： | 2016-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN106442562B | 公开（公告）日： | 2019-04-12 |
| 发明（设计）人： | 马芳;赵彬;王剑;戴韫青 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G01N21/95 | 分类号： | G01N21/95 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种突破外观缺陷机台检测极限的方法，包括：第一步骤：对曝光单元进行逻辑分割以建立虚拟曝光单元；第二步骤：将虚拟曝光单元中的芯片区域进行重新分配，以建立新的检测区域；其中，所述新的检测区域处于外观缺陷机台检测极限之内；第三步骤：将所述新的检测区域中的切割道部分去除，以避免因切割道被扫描而出现虚假缺陷信号；第四步骤：利用外观缺陷检测机台针对所述新的检测区域进行外观缺陷检测。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 突破 外观 缺陷 机台 检测 极限 方法 | ||
【主权项】：
1.一种突破外观缺陷机台检测极限的方法，其特征在于包括：第一步骤：在芯片尺寸小于外观缺陷机台检测极限的情况下，对曝光单元进行逻辑分割以建立虚拟曝光单元；第二步骤：将虚拟曝光单元中的芯片区域进行重新分配，以建立新的检测区域，在将虚拟曝光单元中的芯片区域进行重新分配时，将芯片尺寸小于机台极限的方向上的多个芯片合并为一个，所述多个芯片的数量为大于等于2的自然数；其中，所述新的检测区域处于外观缺陷机台检测极限之内；第三步骤：将所述新的检测区域中的切割道去除，以避免因切割道被扫描而出现虚假缺陷信号；第四步骤：利用外观缺陷检测机台针对所述新的检测区域进行外观缺陷检测。
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