[发明专利]辐射检测器及其制造方法

摘要

本发明公开了一种辐射检测器，其具有多个像素。该辐射检测器包括基底；基底上的薄膜晶体管；闪烁层，其位于薄膜晶体管的远离基底的一侧，用于将辐射转换成光；以及光电传感器，其位于薄膜晶体管的远离基底且靠近闪烁层的一侧，用于将光转换成电荷。光电传感器和薄膜晶体管处于垂直堆叠的多层结构中的两个不同的垂直堆叠的层中。光电传感器包括与闪烁层光学耦合的光电转换层。

主权项

一种辐射检测器，其特征在于，具有多个像素，所述辐射检测器包括：基底；基底上的薄膜晶体管；闪烁层，其位于薄膜晶体管的远离基底的一侧，用于将辐射转换成光；以及光电传感器，其位于薄膜晶体管的远离基底且靠近闪烁层的一侧，用于将光转换成电荷；光电传感器和薄膜晶体管处于垂直堆叠的多层结构中的两个不同的垂直堆叠的层中；光电传感器包括与闪烁层光学耦合的光电转换层；所述光电转换层包括钙钛矿材料；所述辐射检测器还包括绝缘层，其位于光电转换层的靠近薄膜晶体管的一侧；光电传感器、薄膜晶体管和绝缘层处于垂直堆叠多层结构中的三个不同的垂直堆叠的层中，使得所述光电传感器和所述薄膜晶体管在垂直基底方向上被绝缘层在空间间隔开；所述光电转换层的面积与一个像素的面积实质上相同。