[发明专利]GaN基LED外延结构的制造方法有效
| 申请号： | 201610792054.5 | 申请日： | 2016-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN106206897B | 公开（公告）日： | 2019-05-10 |
| 发明（设计）人： | 陈立人;冯猛;刘恒山 | 申请（专利权）人： | 聚灿光电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人： | 杨林洁 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工业*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种GaN基LED外延结构的制造方法，包括以下步骤：S1、提供一平面型蓝宝石衬底；S2、通过物理镀膜方式在蓝宝石衬底上沉积形成AlN缓冲层；S3、将沉积有AlN缓冲层的蓝宝石衬底置于MOCVD的反应腔中，升温对AlN缓冲层在N2、H2、NH3的混合气体中进行热退火；S4、控制反应腔中的N2、H2、NH3的比例，于一定温度下利用NH3的调节促使AlN缓冲层进行一定程度的分解，从而使AlN缓冲层形成局部富铝的金属态，此金属态进一步与蓝宝石衬底进行互扩散并气化分解以破坏界面平整度；S5、在残余的AlN缓冲层上进行u‑GaN层的平整化生长；S6、在u‑GaN层上依次生长n‑GaN层、多量子阱发光层、p‑GaN层。 | ||
| 搜索关键词： | gan led 外延 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种GaN基LED外延结构的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括以下步骤：S1、提供一平面型蓝宝石衬底；S2、通过物理镀膜方式在蓝宝石衬底上沉积形成AlN缓冲层；S3、将沉积有AlN缓冲层的蓝宝石衬底置于MOCVD的反应腔中，升温对AlN缓冲层在N2、H2、NH3的混合气体中进行热退火；S4、控制反应腔中的N2、H2、NH3的比例，于一定温度下利用NH3的调节促使AlN缓冲层进行一定程度的分解，从而使AlN缓冲层形成局部富铝的金属态，此金属态进一步与蓝宝石衬底进行互扩散并气化分解以破坏界面平整度；S5、在残余的AlN缓冲层上进行u‑GaN层的平整化生长；S6、在u‑GaN层上依次生长n‑GaN层、多量子阱发光层、p‑GaN层。
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