[发明专利]一种磁控元件和磁控溅射装置

摘要

本发明提供一种磁控元件和磁控溅射装置。该磁控元件包括闭合磁极和开路磁极，闭合磁极包围开路磁极，闭合磁极和开路磁极之间形成的磁场能使溅射沉积薄膜的均匀性小于5％。该磁控元件通过设置闭合磁极和开路磁极，能适用于RF/DC PVD技术，通过调节闭合磁极和开路磁极之间形成的等离子体路径的形状与分布，能在全工艺压力范围下使溅射沉积薄膜满足设定的均匀性要求，从而大大提高了沉积薄膜的均匀性；该磁控元件适用的磁控溅射系统以及适用的薄膜沉积材料都比较广泛，并且，该磁控元件还能提高靶材的利用率。

主权项

1.一种磁控元件，其特征在于，包括闭合磁极和开路磁极，所述闭合磁极包围所述开路磁极，所述闭合磁极和所述开路磁极之间形成的磁场能使溅射沉积薄膜的均匀性小于5％；所述开路磁极包括第一磁极，所述第一磁极的形状为不同曲率半径的开路曲线；所述闭合磁极与所述第一磁极相互间隔且极性相反，所述闭合磁极的形状为不同曲率半径的闭合曲线；所述闭合磁极和所述第一磁极曲率半径较小的部分偏向靶材中心区域，所述闭合磁极和第一磁极曲率半径较大的部分偏向靶材边缘区域；所述磁控元件的旋转中心位于所述第一磁极包围的区域中。