[发明专利]砷化镓太阳能电池阵列的电路设计在审
| 申请号： | 201610787613.3 | 申请日： | 2016-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN106299007A | 公开（公告）日： | 2017-01-04 |
| 发明（设计）人： | 李阳;卢少荣 | 申请（专利权）人： | 李阳;卢少荣 |
| 主分类号： | H01L31/05 | 分类号： | H01L31/05 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 570000 海南省海口市美*** | 国省代码： | 海南;66 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明是将砷化镓太阳能电池通过有序的排成阵列形状，在一块103.3mm*95.9mm的面积上，有5个独立的砷化镓太阳能电池串联阵列并在接受光能量时5个独立的砷化镓太阳能电池串联阵列分别输出各自的电压电流。这样避免了砷化镓太阳能电池阵列组件在聚光光斑不均匀的情况下效率下降的情况，也能使得每组电池阵列在不同的光功率下彼此不受影响，更有效的发挥效能。 | ||
| 搜索关键词： | 砷化镓 太阳能电池 阵列 电路设计 | ||
【主权项】：
本发明权利要求；在一块103.3mm*95.9mm的面积上，有5个独立的砷化镓太阳能电池串联阵列并在接受光能量时5个独立的砷化镓太阳能电池串联阵列分别输出各自的电压电流。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
