[发明专利]一种提高NANDFLASH可靠性的方法及装置在审
| 申请号： | 201610784259.9 | 申请日： | 2016-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN106409321A | 公开（公告）日： | 2017-02-15 |
| 发明（设计）人： | 吴旋 | 申请（专利权）人： | 福建联迪商用设备有限公司 |
| 主分类号： | G11C5/14 | 分类号： | G11C5/14;G11C16/10 |
| 代理公司： | 福州市博深专利事务所(普通合伙)35214 | 代理人： | 林志峥 |
| 地址： | 350000 福建省福州市鼓*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明涉及闪存技术领域，具体涉及一种提高NAND FLASH可靠性的方法及装置，所述方法包括如下步骤NAND控制器接收到中断信号后，判断NAND FLASH当前的操作的类型；若为编程操作，利用所述电容完成编程操作，通过NAND FLASH控制器复位NAND FLASH，结束当前正在进行的操作；若不为编程操作，通过NAND FLASH控制器复位NAND FLASH，结束当前正在进行的操作。本发明的有益效果在于本发明抓住了掉电需要保护的关键操作‑编程操作，通过保证掉电时完成整个编程操作，有效避免了掉电对NANDFLASH数据的损坏，保证了使用NANDFLASH终端的数据可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 nandflash 可靠性 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种提高NAND FLASH可靠性的方法，其特征在于，包括如下步骤：在使用过程中，NAND FLASH进行读取、擦除或编程的操作；NAND控制器接收到中断信号后，判断NAND FLASH当前的操作的类型；所述NAND FLASH包括支持完成一次NAND的编程操作的电容；若为编程操作，利用所述电容完成编程操作，通过NAND FLASH控制器复位NAND FLASH，结束当前正在进行的操作；若不为编程操作，通过NAND FLASH控制器复位NAND FLASH，结束当前正在进行的操作。
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