[发明专利]一种基于C环缺陷地结构的LTCC小型化功率增益均衡器有效
| 申请号： | 201610770178.3 | 申请日： | 2016-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN106207366B | 公开（公告）日： | 2019-05-17 |
| 发明（设计）人： | 夏雷;花证;郎小元;江栋一;翟思 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01P9/00 | 分类号： | H01P9/00 |
| 代理公司： | 成都宏顺专利代理事务所(普通合伙) 51227 | 代理人： | 周永宏;王伟 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于C环缺陷地结构的LTCC小型化功率增益均衡器，包括由上及下依次层叠的第一金属层、第一介质层、第二金属层、第二介质层以及第三金属层；第一介质层对称设有两个金属化通孔，第二金属层包括第一阻抗谐振器微带、第二阻抗谐振器微带、第一电阻、第二电阻，其中第一电阻与第一金属化通孔和第一阻抗谐振器微带构成串联结构，第二电阻与第二金属化通孔和第二阻抗谐振器微带构成串联结构，第三金属层上对称设有第一C环缺陷地开槽和第二C环缺陷地开槽。该均衡器具有体积小，均衡量大，插损小的优点，适用于调节工作在微波频段的高功率源的增益平坦度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 缺陷 结构 ltcc 小型化 功率 增益 均衡器 | ||
【主权项】：
1.一种基于C环缺陷地结构的LTCC小型化功率增益均衡器，其特征在于：包括由上及下依次层叠的第一金属层(1)、第一介质层(2)、第二金属层(3)、第二介质层(4)以及第三金属层(5)；所述第一介质层(2)对称设有第一金属化通孔(21)和第二金属化通孔(22)，所述第二金属层包括第一阶梯阻抗谐振器微带(30)、第二阶梯阻抗谐振器微带(31)、第一电阻(32)、第二电阻(33)，其中第一电阻(32)与第一金属化通孔(21)和第一阶梯阻抗谐振器微带(30)构成串联结构，第二电阻(33)与第二金属化通孔(22)和第二阶梯阻抗谐振器微带(31)构成串联结构，所述第三金属层(5)上对称设有第一C环缺陷地开槽(51)和第二C环缺陷地开槽(52)，所述第一金属层(1)、第二金属层(3)以及第三金属层(5)使用LTCC工艺印制于介质层的表面，所述第二金属层(3)印制于第一介质层(2)或第二介质层(4)的表面；所述第一C环缺陷地开槽(51)和第二C环缺陷地开槽(52)的缺口分别位于第一电阻(32)、第二电阻(33)的正下方；所述第一金属层(1)包括传输线主线(10)，呈条状；所述传输线主线(10)位于两个金属化通孔的上方。
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